Samsung merancang untuk menghasilkan memori kilat V-NAND generasi kesembilan secara besar-besaran dengan lebih daripada 300 lapisan awal tahun depan, mendakwa mempunyai bilangan lapisan tertinggi dalam industri

Berita dari tapak ini pada 19 Oktober Samsung ialah pembekal memori flash NAND terbesar di dunia dan mempunyai rancangan yang bercita-cita tinggi untuk pembangunan V-NANDnya (apa yang Samsung panggil 3D NAND yang dikongsikan oleh Samsung minggu ini). Syarikat itu mengesahkan bahawa ia berada di landasan untuk menghasilkan memori kilat V-NAND generasi kesembilannya dengan lebih daripada 300 lapisan, dengan mengatakan ia akan menjadi NAND 3D lapisan tertinggi dalam industri.

"V-NAND generasi kesembilan adalah berdasarkan struktur dua lapisan, dengan bilangan lapisan mencapai tahap tertinggi dalam industri. Pengeluaran besar-besaran akan bermula awal tahun depan." Bae, Presiden Samsung Electronics dan Ketua Bahagian Memori ) menulis dalam catatan blog.

Tapak ini menyedari bahawa pada bulan Ogos, terdapat berita bahawa Samsung sedang membangunkan V-NAND generasi kesembilan dengan lebih daripada 300 lapisan dan akan terus menggunakan teknologi dua lapisan yang pertama kali digunakan oleh Samsung pada 2020. Dan Samsung kini berkata NAND 3Dnya akan mempunyai lapisan yang lebih berkesan daripada pesaingnya Pada masa ini kami tahu bahawa 3D NAND generasi seterusnya SK Hynix akan mempunyai 321 lapisan, jadi V-NAND generasi kesembilan Samsung sepatutnya mempunyai lebih banyak lapisan.

Peningkatan bilangan lapisan akan membolehkan Samsung meningkatkan ketumpatan storan peranti NAND 3Dnya. Syarikat itu menjangkakan bahawa jenis memori kilat masa depan bukan sahaja akan meningkatkan ketumpatan storan tetapi juga meningkatkan prestasi.

"Samsung juga sedang mengusahakan teknologi penciptaan nilai generasi akan datang, termasuk struktur baharu yang boleh memaksimumkan kelajuan input/output (I/O) V-NAND," kata Lee Jung-bae.

Belum diketahui apa yang akan dilakukan oleh V-NAND generasi kesembilan Samsung dari segi prestasi, tetapi dipercayai bahawa syarikat itu akan menggunakan memori ini untuk menghasilkan pemacu keadaan pepejal yang akan datang, mungkin menggunakan antara muka PCIe Gen5.

Bagi inovasi teknologi jangka panjang, Samsung komited untuk meminimumkan gangguan sel, mengurangkan ketinggian dan memaksimumkan bilangan lapisan menegak, yang akan membolehkannya mencapai saiz sel terkecil dalam industri. Inovasi ini akan memainkan peranan penting dalam memajukan visi Samsung 3D NAND dengan lebih 1,000 lapisan dan penyelesaian memori yang sangat berbeza.

Pernyataan pengiklanan: Pautan lompat luaran (termasuk tetapi tidak terhad kepada hiperpautan, kod QR, kata laluan, dll.) yang terkandung dalam artikel digunakan untuk menyampaikan lebih banyak maklumat dan menjimatkan masa pemilihan laman web ini adalah Mengandungi Penyata ini.

Atas ialah kandungan terperinci Samsung merancang untuk menghasilkan memori kilat V-NAND generasi kesembilan secara besar-besaran dengan lebih daripada 300 lapisan awal tahun depan, mendakwa mempunyai bilangan lapisan tertinggi dalam industri. Untuk maklumat lanjut, sila ikut artikel berkaitan lain di laman web China PHP!