Samsung Electronics merancang untuk melancarkan teknologi memori kilat V-NAND tindanan dwi lapis dengan lebih daripada 300 lapisan tahun depan

Menurut laporan terkini, Samsung Electronics merancang untuk melancarkan produk memori flash V-NAND generasi ke-9 tahun depan. Produk baharu ini akan menggunakan seni bina tindanan dwi-lapisan dengan lebih daripada 300 lapisan, membawa satu kejayaan dalam bidang teknologi storan

Samsung merancang untuk memperkenalkan seni bina tindanan dwi-lapisan untuk mengatasi pesaing SK Hynix dari segi kemajuan teknologi . Menurut laporan, SK Hynix merancang untuk memulakan pengeluaran besar-besaran memori kilat NAND 321 lapisan dengan seni bina tindanan tiga lapisan pada separuh pertama 2025. Walau bagaimanapun, seawal 2020, Samsung telah berjaya menghasilkan cip memori flash V-NAND generasi ke-7

Inisiatif inovatif ini dijangka dapat meningkatkan ketumpatan storan dengan ketara, sekali gus membantu mengurangkan kos pembuatan pemacu keadaan pepejal dan menyediakan pengguna dengan Penyelesaian storan yang lebih kos efektif. Teknologi seni bina tindanan dwi-lapisan Samsung ialah tindanan baharu yang dibina pada tindanan 3D NAND yang sedia ada Kaedah ini bukan sahaja dapat meningkatkan pengeluaran, tetapi juga menggunakan sumber dengan lebih cekap

Menurut pemahaman editor, SK hynix mengamalkan a. seni bina tindanan tiga lapisan yang berbeza daripada pesaingnya. Seni bina ini mencipta tiga set lapisan berbeza di atas lapisan NAND 3D. Walaupun ini boleh meningkatkan pengeluaran, ia juga akan meningkatkan penggunaan langkah pengeluaran dan bahan mentah

Orang dalam industri mendedahkan kepada Seoul Economic Daily bahawa Samsung melancarkan 3D generasi ke-9 Selepas NAND, ia dijangka menggunakan seni bina tindanan tiga lapisan dalam produk generasi ke-10, yang dijangka mencapai 430 lapisan. Pilihan teknologi ini bukan sahaja memastikan daya pemprosesan yang lebih tinggi, tetapi juga mengatasi tekanan bahan mentah dan kos yang mungkin timbul apabila melebihi 400 lapisan.

Pada "Hari Teknologi Samsung 2022" pada tahun 2022, Samsung mencadangkan matlamat jangka panjang yang bercita-cita tinggi, merancang untuk membawa 3D Bilangan lapisan NAND telah ditambah kepada 1,000. Matlamat ini menunjukkan usaha berterusan Samsung untuk pembangunan teknologi storan masa hadapan.

Atas ialah kandungan terperinci Samsung Electronics merancang untuk melancarkan teknologi memori kilat V-NAND tindanan dwi lapis dengan lebih daripada 300 lapisan tahun depan. Untuk maklumat lanjut, sila ikut artikel berkaitan lain di laman web China PHP!