Dilaporkan bahawa memori kilat Samsung Electronics V9 QLC NAND masih belum menerima lesen sedia pengeluaran besar-besaran, menjejaskan perancangan kilang Pyeongtaek P4

Menurut berita dari laman web ini pada 31 Julai, media Korea ZDNet Korea melaporkan bahawa versi QLC bagi memori kilat V9 NAND Samsung Electronics belum lagi memperoleh lesen pengeluaran besar-besaran, yang telah menjejaskan perancangan pembinaan barisan pengeluaran kilang Pyeongtaek P4. Samsung Electronics mengumumkan pada April tahun ini bahawa versi TLC berkapasiti 1Tb bagi memori kilat V9 NANDnya telah mencapai pengeluaran besar-besaran, dan versi QLC yang sepadan akan memasuki pengeluaran besar-besaran pada separuh kedua tahun ini. Walau bagaimanapun, sehingga kini, Samsung Electronics tidak mengeluarkan PRA (nota tapak ini: harus merujuk kepada Kelulusan Kesediaan Pengeluaran) lesen sedia pengeluaran besar-besaran untuk memori kilat V9 QLC NAND. Memori kilat QLC dengan kapasiti yang lebih tinggi dan kos yang lebih rendah kini menjadi tumpuan untuk keperluan storan pelayan inferens AI. Masa depan produk bintang yang tidak jelas telah membawa kepada pendapat yang berbeza dalam Samsung Electronics sama ada akan menggunakan fasa pertama kilang Pyeongtaek P4 sepenuhnya untuk pengeluaran NAND.

▲ Samsung Electronics Pyeongtaek Park Menurut rancangan Samsung Electronics sebelum ini, kilang Pyeongtaek P4 akan menjadi pusat pengeluaran semikonduktor yang komprehensif Ia mengandungi empat peringkat dan boleh mengeluarkan logik, NAND, DRAM dan produk lain
P4 fasa pertama kilang digunakan untuk pengeluaran NAND, fasa kedua untuk fauri logik, dan fasa ketiga dan keempat adalah untuk pembuatan DRAM.
Walau bagaimanapun, disebabkan oleh jumlah tempahan faundri wafer yang tidak mencukupi dan permintaan yang berkembang pesat untuk produk memori DRAM yang diwakili oleh HBM, Samsung Electronics telah melaraskan pelan pelaburan kilang Pyeongtaek P4 pada separuh pertama tahun, membina barisan pengeluaran memori DRAM terlebih dahulu dan melambatkan pembinaan talian logik.
Samsung Electronics kini mempunyai kapasiti pengeluaran NAND sebanyak 10,000 wafer sebulan dalam fasa pertama kilang Pyeongtaek P4nya sebelum ini telah mencadangkan matlamat untuk meningkatkan pengeluaran wafer bulanan kepada 45,000 wafer menjelang tahun depan.
Walau bagaimanapun, V9 QLC NAND tidak menerima kelulusan pengeluaran besar-besaran tepat pada masanya, menyebabkan beberapa orang dalam percaya bahawa sebahagian daripada kawasan pembinaan dalam fasa pertama harus digunakan untuk pengeluaran DRAM dengan masa depan yang lebih jelas.

Atas ialah kandungan terperinci Dilaporkan bahawa memori kilat Samsung Electronics V9 QLC NAND masih belum menerima lesen sedia pengeluaran besar-besaran, menjejaskan perancangan kilang Pyeongtaek P4. Untuk maklumat lanjut, sila ikut artikel berkaitan lain di laman web China PHP!