Spesifikasi memori DDR5 MRDIMM dan LPDDR6 CAMM sedia untuk dilancarkan, JEDEC mengeluarkan butiran teknikal utama

Tapak ini melaporkan pada 23 Julai bahawa penetap piawaian mikroelektronik JEDEC Solid State Technology Association mengumumkan pada waktu tempatan ke-22 bahawa spesifikasi teknikal memori DDR5 MRDIMM dan LPDDR6 CAMM akan dilancarkan secara rasmi tidak lama lagi, dan memperkenalkan butiran utama kedua-dua kenangan ini.

"MR" dalam DDR5 MRDIMM adalah singkatan dari Multiplexed Rank, yang bermaksud bahawa memori menyokong dua atau lebih Kedudukan dan boleh menggabungkan dan menghantar berbilang isyarat data pada satu saluran boleh ditingkatkan dengan berkesan tanpa memerlukan sambungan fizikal tambahan.

JEDEC telah merancang beberapa generasi memori DDR5 MRDIMM, dengan matlamat akhirnya meningkatkan lebar jalurnya kepada 12.8Gbps, menggandakan memori 6.4Gbps semasa DDR5 RDIMM.

Dalam visi JEDEC, DDR5 MRDIMM akan menggunakan reka bentuk pin, SPD, PMIC, dsb. yang sama seperti DIMM DDR5 sedia ada, serasi dengan platform RDIMM dan menggunakan ekosistem LRDIMM sedia ada untuk reka bentuk dan ujian.

Selain itu, JEDEC juga telah merancang faktor bentuk Tall MRDIMM. Seperti namanya, reka bentuk itu akan menampilkan faktor bentuk yang lebih tinggi yang akan menggandakan bilangan pakej DRAM yang disokongnya, seterusnya meningkatkan kapasiti memori.

Bagi LPDDR6 CAMM, JEDEC berkata ia dijangka mencapai kelajuan maksimum lebih daripada 14.4GT/s, dan juga akan menyebut sub lebar 24bit -saluran, saluran Lebar 48bit dan menyokong "tatasusunan penyambung" (nota dari tapak ini: teks asal ialah tatasusunan penyambung).

Atas ialah kandungan terperinci Spesifikasi memori DDR5 MRDIMM dan LPDDR6 CAMM sedia untuk dilancarkan, JEDEC mengeluarkan butiran teknikal utama. Untuk maklumat lanjut, sila ikut artikel berkaitan lain di laman web China PHP!