Samsung Electronics: Ia memajukan peningkatan proses memori eMRAM seperti yang dirancang, dan pembangunan versi 8nm pada dasarnya telah selesai

Menurut berita dari laman web ini pada 31 Mei, wakil Samsung Electronics menyatakan pada "Seminar AI-PIM" di Korea Selatan semalam bahawa mereka secara beransur-ansur memajukan proses peningkatan memori eMRAM seperti yang dirancang Pada masa ini, pembangunan teknologi 8nm eMRAM telah selesai pada dasarnya.

Sebagai jenis memori baharu, MRAM adalah berdasarkan prinsip magnet dan tidak meruap ia tidak perlu sentiasa menyegarkan data seperti memori DRAM dan lebih menjimatkan tenaga dan cekap Pada masa yang sama, penulisan kelajuan MRAM adalah 1000 kali ganda daripada NAND, menyokong aplikasi yang memerlukan kadar tulis yang lebih tinggi.

eMRAM ialah MRAM untuk medan terbenam.

Menurut laporan dari laman web ini pada 2023, Samsung Electronics menyatakan pada masa itu bahawa ia merancang untuk menghasilkan 14nm eMRAM secara besar-besaran pada 2024 menghasilkan 8nm eMRAM pada tahun 2026 dan akan melangkah lebih jauh menjelang 2027 untuk mencapai pengeluaran besar-besaran 5nm; eMRAM. Pada masa ini, Samsung Electronics

, dan pembangunan 8nm eMRAM juga telah siap pada asasnya Ia masih merancang untuk melancarkan 5nm eMRAM pada tahun 2027.

Samsung Electronics percaya bahawa permintaan untuk eMRAM dalam bidang automotif akan terus berkembang pada masa hadapan Produknya pada masa ini mempunyai rintangan suhu 150~160℃, yang cukup untuk memenuhi keperluan ketat industri automotif untuk semikonduktor.

Atas ialah kandungan terperinci Samsung Electronics: Ia memajukan peningkatan proses memori eMRAM seperti yang dirancang, dan pembangunan versi 8nm pada dasarnya telah selesai. Untuk maklumat lanjut, sila ikut artikel berkaitan lain di laman web China PHP!