TRFC值屬於第二小參，表示刷新間隔週期，單位為週期，值越小越好。
DDR3記憶體通常值為90-120。低於80時，可能導致不穩定。 CL、tRCD、tRP和tRAS稱為第一時序，對顆粒性能的影響最明顯，也最重要。 （推薦學習：phpstorm）
首先要記憶體時序（英文：Memory timings或RAM timings）是描述同步動態隨機存取記憶體（SDRAM）效能的四個參數：CL、 TRCD、TRP和TRAS，單位為時鐘週期。
清楚要讓電腦有條不紊地運作，對各種操作訊號的產生時間、穩定時間、撤銷時間及相互之間的關係都有嚴格的要求。
對操作訊號施加時間上的控制，稱為時序控制。只有嚴格的時序控制，才能確保各功能部件組合有機的電腦系統。
記憶體時序的影響因素：
當記憶體時序轉換為實際的延遲時，最重要的是注意是以時脈週期為單位。如果不知道時鐘週期的時間，就不可能了解一組數字是否比另一組數字更快。
舉例來說，DDR3-2000記憶體的時脈頻率是1000 MHz，其時脈週期為1 ns。基於這個1 ns的時鐘，CL=7給出的絕對延遲為7 ns。
而更快的DDR3-2666（時脈1333 MHz，每個週期0.75 ns）則可能用更大的CL=9，但產生的絕對延遲6.75 ns更短。
現代DIMM包含一個串列存在偵測（SPD）ROM晶片，其中包含為自動配置建議的記憶體時序。
PC上的BIOS可能允許使用者調整時序以提高效能（有降低穩定性的風險），或在某些情況下增加穩定性（如使用建議的時序）。
注意：記憶體頻寬是測量記憶體的吞吐量，並通常受到傳輸速率而非潛伏時間的限制。
透過交錯存取SDRAM的多個內部bank，有可能以峰值速率連續傳輸。可能以增加潛伏時間為代價來增加頻寬。
具體來說，每個新一代的DDR記憶體都有較高的傳輸速率，但絕對延遲沒有顯著變化，尤其是市場上的第一批新一代產品，通常有著較上一代更長的延遲
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