9月28日消息,随着科技行业的不断进步,高性能内存的竞争也在加剧。最新的消息显示,美光科技(MicronTechnology)正式推出了新款HBM3E内存,这将与SK海力士的HBM3E内存展开竞争。这两家公司都致力于提供高带宽内存解决方案,以满足高性能计算和图形处理的需求。美光的HBM3E内存号称可以实现每秒1.2TB的传输速度,这与SK海力士的产品相当。HBM(HighBandwidthMemory)内存的垂直连接技术已经在数据处理领域展现出了巨大的潜力,这一技术的应用可以显著提高数据传输速度
2023-09-30评论:0访问次数:218
DoNews8月21日消息,SK海力士21日宣布,已成功研发出面向人工智能的超高性能DRAM新产品HBM3E,并已开始向客户提供样品进行性能验证HBM(高带宽内存)是指通过垂直连接多个DRAM来显著提升数据处理速度。HBMDRAM产品按照顺序分为HBM(第一代)、HBM2(第二代)、HBM2E(第三代)、HBM3(第四代)和HBM3E(第五代)。HBM3E是HBM3的扩展版本SK海力士表示,新品最高每秒可以处理1.15TB(太字节)的数据。其相当于在1秒内可处理230部全高清(Full-HD,F
2023-08-24评论:0访问次数:654
本站消息,SK海力士于今年8月宣布成功开发出全球最高规格的HBM3E内存,并计划从明年上半年开始大规模生产。目前,该公司已经向客户提供样品进行性能验证据MT.co.kr报道,继第4代产品HBM3之后,SK海力士将向NVIDIA独家供应第五代高带宽内存HBM3E,此举有望进一步巩固其作为AI半导体公司的地位。据半导体业界15日消息,SK海力士将于明年初向NVIDIA提供满足量产质量要求的HBM3E内存,并开展最终的资格测试。一位半导体行业高管表示,“没有HBM3E,NVIDIA就无法销售B100”
2023-10-15评论:0访问次数:1008
8月21日消息,今日据可靠消息称,韩国半导体制造商SK海力士宣布取得重大突破,成功研发出面向人工智能领域的高性能DRAM新产品HBM3E。该产品将为AI应用提供强大的数据处理能力,有望在未来的计算领域掀起一股新的浪潮。HBM技术(HighBandwidthMemory)作为一种垂直连接多个DRAM芯片以提高数据处理速度的创新技术,已经不再陌生。而此次的HBM3E则是在前代产品HBM3的基础上进行了扩展和优化。据悉,HBM3E在速度方面展现出惊人的表现,每秒最高可处理1.15TB的数据,相当于仅需
2023-08-23评论:0访问次数:1154
本站5月13日消息,韩媒AlphaBiz报道称,三星电子的8层堆叠(8Hi)HBM3E内存尚未正式通过英伟达的测试,仍需进一步验证。台积电不仅向英伟达提供先进AIGPU的代工,同时还负责AIGPU同HBM内存间的CoWoS先进封装,因此也是英伟达验证审核过程的重要参与者。一位熟悉三星电子与英伟达间供应关系的消息人士向韩媒表示,三星电子8HiHBM3E的验证流程就是卡在台积电审批环节。这位消息人士宣称,三星产品未能通过测试的主要原因是台积电在检测中“采用了基于SK海力士HBM3E产品设定的检测标准
2024-05-13评论:0访问次数:367