本站3月4日消息,据韩媒DealSite报道,SK海力士、三星电子今年针对HBM内存大幅扩产。不过HBM内存有着良率较低等问题,难以跟上AI市场相关需求。作为AI半导体市场抢手货的HBM内存,其采用晶圆级封装(WLP):在基础晶圆上通过TSV硅通孔连接多层DRAM内存晶圆,其中一层DRAM出现问题就意味着整个HBM堆栈的报废。▲HBM内存结构示意图。图源SK海力士以8层堆叠产品为例,如果每一次堆叠的良率均为90%,那整体HBM堆栈的良率就仅有43%,超一半DRAM被丢弃。而当HBM进入到12层乃至16层堆
2024-03-05评论:访问次数:214
7月10日消息,据媒体报道,全球领先的三大内存制造商SK海力士、三星和美光正在积极推进高带宽内存(HBM)的扩产计划。预计到2025年,这些厂商的HBM产量将实现显著增长,年增长率达到105%。根据业内专家的估计,到2025年,全球HBM的新增产量有望达到27.6万片,总产能预计将增至54万片。目前,SK海力士和美光仍然是HBM的主要供应商,两者都采用1beta纳米工艺,并已向NVIDIA发货。三星采用1alphanm工艺,预计将在第二季度完成认证,并在年中开始交付。三星正在逐步升级其韩国平泽工
2024-07-11评论:0访问次数:562
本站5月14日消息,据韩媒Hankyung报道,两大存储巨头SK海力士、三星电子在出席本月早前举行的投资者活动时表示,整体DRAM生产线中已有两成用于HBM内存的生产。相较于通用DRAM,HBM内存坐拥更高单价,不过由于TSV工艺良率不佳等原因,对晶圆的消耗量是传统内存的两倍乃至三倍。内存企业唯有提升产线占比才能满足不断成长的HBM需求。正是在这种“产能占用”的背景下,三星电子代表预计,不仅HBM内存,通用DRAM(如标准DDR5)的价格年内也不会下降。SK海力士再次确认,根据截至今年底的生产能
2024-05-14评论:0访问次数:801
本站5月14日消息,据韩媒Hankyung报道,两大存储巨头SK海力士、三星电子在出席本月早前举行的投资者活动时表示,整体DRAM生产线中已有两成用于HBM内存的生产。相较于通用DRAM,HBM内存坐拥更高单价,不过由于TSV工艺良率不佳等原因,对晶圆的消耗量是传统内存的两倍乃至三倍。内存企业唯有提升产线占比才能满足不断成长的HBM需求。正是在这种“产能占用”的背景下,三星电子代表预计,不仅HBM内存,通用DRAM(如标准DDR5)的价格年内也不会下降。SK海力士再次确认,根据截至今年底的生产能力,目前该
2024-06-04评论:访问次数:331
5月5日消息,近日,韩媒BusinessKorea报道称,科技巨头英伟达可能正处于巧妙地控制高带宽宽内存(HBM)市场,试图在两大韩国科技巨头——三星电子和SK海力士之间制造竞争。这一策略的目的,据信是为了降低自身采购成本,因为这两家公司目前是HBM市场的领军者。随着三星电子公开表示要加强其在技术上的领先地位,HBM市场的竞争似乎日益激烈。分析师推测,英伟达可能通过策略性地泄露市场信息和模糊其采购意图,刺激两家韩国公司之间的价格竞争,以期获得更优惠的HBM供应价格。事实上,自2023年以来,HBM3+DR
2024-05-05评论:访问次数:325