hit电池是太阳能电池；hit是“Heterojunction with intrinsic Thinlayer”的缩写，即采用hit结构的硅太阳能电池，开路电压“729mV”；HIT结构就是在晶体硅片上沉积一层非掺杂氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜。
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hit电池是什么意思
HIT（Heterojunction with intrinsic Thinlayer）
HIT，中文名称是太阳能电池，外文名称是Heterojunction with intrinsic Thinlayer，即采用HIT结构的硅太阳能电池，开路电压729mV。
采用HIT结构的硅太阳能电池，所谓HIT结构就是在晶体硅片上沉积一层非掺杂（本征）氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜，采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。因而使转换效率达到23%，开路电压达到729mV，并且全部工艺可以在200℃以下实现。
扩展知识
HIT电池，俗称异质结电池，中文名称晶体硅异质结太阳能电池，该技术工艺是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，它综合了晶体硅电池与薄膜电池的核心竞争力，是高转换效率硅基太阳能电池的热门朝向中的一种。
相比于传统式晶硅技术工艺，考虑到非晶硅薄膜的构建，硅异质结太阳能电池的晶硅衬底前后表面进行了优良的钝化处理，以至于其表面钝化处理日趋健全完善。
异质结HIT电池的优点
1．应用范围广泛：大量利用在太阳能板、城市公共交通、通讯设备、电力安装工程、国防科技或是在远洋航行、国内航空不同经济领域，HIT电池都具有了不能缺失的重要作用。
2．效率提升潜力高：HIT电池采用的N型硅片具有较高的少子寿命，非晶硅钝化处理的对应结构同样也可以取得较低的表面复合型速率，以至于硅异质结太阳能电池的开路电压远高于传统式单晶硅太阳能电池，其效率潜力比当前利用P型硅片的PERC电池大至更是高达2％
3．成本费用低、生产工艺简单不复杂：HIT电池融合了薄膜太阳能电池超低温的生产制造优点，规避了传统式的高温工艺。HIT工艺流程相比简单化，所有生产工艺流程只需四个部分就可以实现
4．高稳定性，高效率：HIT电池的光照稳定性好，异质结中的非晶硅薄膜并没有发现Staebler－Wronski效应，也就代表着电池转换效率不会因光照而出现衰退的迹象。
5．正反两面电池：HIT电池是非常好的正反两面电池，正面和背面基本上无色调差距，且双面率（指电池背面效率与正面效率之比）可达到九十％以上，极高可以达到九十八％，背面发电的核心竞争力明显。
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