삼성전자는 장점을 재구축하기 위해 사전에 1dnm D램 메모리 기술 개발팀을 꾸린 것으로 전해졌다.

5월 9일 이 사이트의 소식에 따르면 한국 언론 세데일리는 업계 소식통을 인용해 삼성전자가 최근 1dnm D램 메모리 기술 개발팀을 구성하기로 결정했다고 전했다.

DRAM 메모리 업계의 최신 공정은 10+nm 시리즈의 5세대 공정으로 10억m에 달합니다.

삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 3대 메모리 제조사의 차세대 DRAM 공정 1cnm; 올해 3분기에 출시될 예정이며 내년에 양산에 들어갈 예정입니다

그리고 1dnm 공정은 1cnm 이후이며, 양산 시기는 2026년 이후로 예상됩니다.

삼성전자는 각 세대의 DRAM 공정을 개발할 때 양산에 가까운 PA(Process Architecture) 단계까지 반도체, 공정 엔지니어 등 종합팀을 구성하지 않는 경우가 많다. 이 팀의 주요 임무는 프로세스 매개변수를 최적화하고 조정하여 칩 성능과 신뢰성을 향상시키는 것입니다. 동시에 제품이 적시에 시장에 출시될 수 있도록 제조 과정에서 발생하는 다양한 문제와 문제점을 해결하는 역할도 담당합니다.

1dnm 노드에서는 팀이 1~2년 전에 소집되었으며 현재 팀 규모는 몇백 명 정도입니다.

현재 공정에 비해 1dnm 공정은 EUV 리소그래피 양이 늘어나 더 어려워집니다. 삼성전자는 양산 준비를 가속화하고 공정 최적화 주기를 단축하기 위해 1dnm D램 기술개발팀을 미리 꾸렸다.

2020년부터 삼성전자가 DRAM 메모리 기술 선두를 유지하기가 어려웠습니다:

1nm 노드에서는 마이크론이 10억m 규모로 양산을 주도했는데, 3사가 대략 1위를 차지했습니다. 동일한 양산 시간과 다가오는 1cnm 노드에서는 SK 하이닉스가 선두를 차지할 것으로 예상됩니다.

제품 측면에서는 앞서 HBM 메모리 연구개발팀 해체라는 잘못된 결정으로 인해 삼성전자가 현재 HBM3(E) 메모리 경쟁에서 뒤처지고 있는 상황이다.

삼성전자는 1dnm DRAM 개발에 대한 인적 투자를 미리 늘려 현재의 하락세를 멈추고, 메모리 기술 우위를 재확립하며, DRAM 기술 업그레이드를 통해 HBM 사업 개발을 추진하고자 합니다.

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