SK하이닉스와 삼성전자가 올해 HBM 메모리 생산을 대폭 늘린 것으로 알려졌으나 현재 수율은 65%에 불과하다.

3월 4일 본 사이트의 소식에 따르면 국내 언론 딜사이트에서는 SK하이닉스와 삼성전자가 올해 HBM 메모리 생산을 대폭 확대할 것이라고 보도했다. 하지만 HBM 메모리는 낮은 수율 등의 문제를 안고 있어 AI 시장 관련 수요를 따라잡기 어렵다.

AI 반도체 시장의 핫 상품인 HBM 메모리는 웨이퍼 레벨 패키징(WLP)을 채택합니다. 다층 DRAM 메모리 웨이퍼는 실리콘 구멍을 통해 TSV를 통해 기본 웨이퍼에 연결됩니다. DRAM 레이어는 전체 HBM 스택을 폐기한다는 의미입니다.

▲HBM 메모리 구조 다이어그램. 이미지 출처 SK하이닉스 8단 적층 제품을 예로 들면, 각 스택의 수율이 90%라면 전체 HBM 스택의 수율은 43%에 불과하고, DRAM의 절반 이상이 폐기됩니다. HBM이 12단 또는 16단 적층에 들어가면 수율은 더욱 감소합니다.

DealSite에 따르면

현재 HBM 메모리의 전체 수율은 약 65%로 기존 메모리 제품에 비해 현저히 낮습니다. WLP 특성상 수율도 80%, 심지어 90%에 도달하기 어렵습니다 .

한편, HBM 메모리의 양대 제조업체인 SK 하이닉스와 삼성은 올해 생산 능력을 크게 늘렸습니다.

한국 증권사 키움증권의 추정에 따르면,

삼성전자의 월간 HBM 메모리 생산능력은 지난해 2분기 2만5000장에서 올해 4분기에는 15만~17만장으로 늘어날 것으로 예상된다. 같은 기간 SK하이닉스의 월 생산능력은 35,000개에서 120,000~140,000으로 늘어날 것으로 예상됩니다.

그러나 AI 시장의 HBM 메모리 수요에 비해 SK하이닉스와 삼성의 생산능력 증가는 아직 미흡하다. 최근 본 사이트의 보도에 따르면 SK하이닉스 경영진은 올해 HBM 생산능력이 부족함을 다시 한번 확인했다. 한국 언론 NEWSIS에 따르면 할당량은 매진되었습니다. 삼성은 올해 이미 주요 고객과 생산 능력 협상을 완료한 것으로 연말에 보도되었습니다.

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