삼성전자, 내년 초 300단 이상의 9세대 V낸드 플래시 메모리 양산 계획

10월 19일자 이 사이트의 소식입니다. 삼성은 세계 최대의 NAND 플래시 메모리 공급업체이며, 삼성이 3D NAND라고 부르는 V-NAND 개발에 대한 야심 찬 계획을 가지고 있습니다. 이번 주에 몇 가지 관련 정보를 공유했습니다. 회사는 업계 최고층 3D NAND가 될 것이라고 밝히며 300단 이상의 9세대 V-NAND 플래시 메모리를 생산할 예정임을 확인했습니다.

"9세대 V낸드는 더블 레이어 구조로 레이어 수는 업계 최고 수준이다. 내년 초 양산에 들어간다." 배씨(삼성전자 메모리사업부장) 사장이 블로그에 글을 올렸다.

이 사이트에서는 지난 8월 삼성이 300단 이상의 9세대 V-NAND를 개발하고 있으며 2020년에도 삼성이 처음 사용한 더블 레이어 기술을 계속 사용할 것이라는 소식이 있다는 소식을 접했습니다. 그리고 이제 삼성은 자사의 3D NAND가 경쟁사보다 더 효과적인 레이어를 갖게 될 것이라고 말합니다. 현재 SK하이닉스의 차세대 3D NAND는 321개의 레이어를 보유할 것으로 알고 있으므로 삼성의 9세대 V-NAND는 더 많은 레이어를 보유해야 합니다.

레이어 수의 증가로 삼성은 3D NAND 장치의 저장 밀도를 높일 수 있습니다. 회사는 미래의 플래시 메모리 유형이 저장 밀도를 높일 뿐만 아니라 성능도 향상시킬 것으로 기대하고 있습니다.

"삼성은 V-NAND의 입출력(I/O) 속도를 극대화할 수 있는 새로운 구조 등 차세대 가치 창출 기술에도 힘쓰고 있습니다."

삼성의 9세대 V-NAND가 성능 측면에서 어떤 역할을 할지 아직 알려지지 않았지만, 회사는 이 메모리를 사용하여 곧 출시될 SSD를 생산할 것으로 보이며, 아마도 PCIe Gen5 인터페이스를 사용할 것으로 믿어집니다.

장기적인 기술 혁신과 관련하여 삼성은 셀 간섭을 최소화하고 높이를 줄이며 수직 레이어 수를 최대화하여 업계에서 가장 작은 셀 크기를 달성하기 위해 최선을 다하고 있습니다. 이러한 혁신은 1,000개 이상의 레이어와 고도로 차별화된 메모리 솔루션을 갖춘 삼성의 3D NAND 비전을 발전시키는 데 핵심적인 역할을 할 것입니다.

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