고속 충전 헤드는 '양배추 가격'이 될 것으로 예상, 일본 기업 신기술로 질화갈륨 반도체 소재 원가 90% 절감

9월 5일자 본 사이트의 소식에 따르면, 일본 최대의 반도체 웨이퍼 회사인 신에츠화학공업과 ATM 및 통신장비 분야의 OKI컴퍼니가 최근 저비용의 전력 제조 기술을 개발했다고 발표했습니다. 질화갈륨(GaN) 소재 기술을 이용한 반도체 .

보고서에 따르면 이 기술은 제조 비용을 기존 제조 방법의 10분의 1 미만으로 줄일 수 있다고 합니다. 양산이 가능하다면 급속충전기 등 장비의 대중화에 도움이 될 것으로 보인다.

이 사이트는 공식 보도 자료를 통해 신에츠 화학공업과 OKI가 개발한 신기술로 고유한 QST 기판에 갈륨 계열 가스를 분사하여 결정을 성장시킬 수 있다는 사실을 알게 되었습니다. Shin-Etsu Chemical Industry의 두꺼운 결정 기술과 OKI의 접합 기술이 결합되어 기판에서 결정만 벗겨집니다. 결정은 다른 기판 위에 배치되어 전력 반도체용 웨이퍼로 사용됩니다.

신에츠화학공업은 GaN 기판에 GaN 결정을 성장시키는 방법은 제조 시간이 많이 소요될 뿐만 아니라, 수율이 낮고 비용도 높다고 밝혔다. 새로운 제조 방법으로 크리스탈을 효율적으로 제조하고 비용을 90% 절감할 수 있습니다. 실리콘 기판 위에 GaN 결정을 성장시키는 방법에 비해 기판과 결정 사이에 절연층이 필요하지 않습니다. 크리스탈 필름이 두꺼워지면 20배의 전류를 흘릴 수 있습니다.

신에츠화학공업은 이 기술로 6인치 웨이퍼 제조가 가능하다고 밝혔으며, 2025년에는 8인치로 늘릴 계획이다. 향후 반도체에 기술을 파는 등 사업모델도 검토할 예정이다. 제조업 자.

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