새로운 스토리지 시대를 열다! SK하이닉스, 2025년 321단 초고급 플래시메모리 양산 예고

8월 21일자 뉴스 최근 NAND 플래시 메모리 기술이 또 다른 획기적인 발전을 이루며 스토리지 분야의 새로운 장을 열었습니다. 업계 소식통에 따르면, 세계 주요 스토리지 제조업체들이 초고수준 플래시 메모리 제품 출시를 위해 경쟁하고 있으며, 이는 스토리지 밀도와 성능에 대한 업계의 새로운 기대를 불러일으키고 있습니다.

SK 하이닉스는 최근 인상적인 300+ 레이어 플래시 메모리 출시를 발표하여 적층 레이어 측면에서 NAND 플래시 메모리 기술이 크게 발전했습니다. 이 플래시 메모리는 무려 321단에 TLC 기술을 적용해 단일 다이 용량이 최대 1Tb(128GB)에 달하지만, 이 제품은 2025년까지 양산되지 않을 예정이다.

삼성은 뒤처지지 않을 것입니다. 한국 언론에 따르면 삼성은 2024년에 자체 300개 이상의 레이어 플래시 메모리 제품을 출시할 계획이며 한발 앞서기 위해 노력하고 있습니다. 아직 삼성 플래시 메모리의 구체적인 내용은 공개되지 않았지만, 확실한 것은 여전히 ​​듀얼 스택 기술을 적용해 세부적인 혁신을 거듭해온 제품이라는 점이다.

레이어 수의 증가와 더불어 플래시 메모리 용량도 지속적으로 새로운 기록을 세우고 있다는 점은 언급할 가치가 있습니다. 삼성은 최근 대용량 스토리지에 대한 기업 시장의 요구를 충족하기 위해 QLC 기술을 사용하는 최대 256TB의 엔터프라이즈급 SSD를 발표했습니다. 또한, PB급 SSD 개발도 활발히 진행 중이며 머지않아 1,000TB 이상의 저장 용량이 현실화될 것으로 예상됩니다

편집자는 NAND 플래시 메모리 기술의 지속적인 혁신이 데이터 저장 및 처리 분야에 큰 영향을 미칩니다. 기술이 발전함에 따라 저장 장치의 용량은 증가하고 속도는 더욱 빨라져 다양한 애플리케이션 시나리오에 대한 더욱 강력한 지원을 제공할 것입니다

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