삼성전자 : eMRAM 메모리 공정 업그레이드를 계획대로 추진하고 있으며, 8nm 버전 개발은 기본적으로 완료

5월 31일 이 사이트의 소식에 따르면 삼성전자 관계자는 어제 한국에서 열린 'AI-PIM 세미나'에서 현재 계획대로 eMRAM 메모리 공정 업그레이드를 점진적으로 추진하고 있다고 밝혔습니다. 기본적으로 완료되었습니다.

새로운 유형의 메모리인 MRAM은 자기 원리를 기반으로 하며 DRAM 메모리처럼 지속적으로 데이터를 새로 고칠 필요가 없으며 에너지를 더 절약하고 효율적입니다. MRAM의 쓰기 속도는 NAND의 1000배에 달하며 더 높은 쓰기 속도가 필요한 애플리케이션을 지원합니다.

▲eMRAM 저장 원리

삼성전자는 현재 28nm eMRAM 생산 능력을 보유하고 있으며 이미 스마트워치 등 최종 제품을 공급하고 있습니다.

현재 삼성전자는 14nm eMRAM 개발을 완료했고, 8nm eMRAM 개발도 기본적으로 완료했으며, 아직 2027년에는 5nm eMRAM을 출시할 계획입니다.

삼성전자는 앞으로도 자동차 분야에서 eMRAM 수요가 계속 증가할 것이라고 믿고 있습니다. 현재 자사 제품의 온도 저항은 150~160℃로 자동차 산업의 엄격한 반도체 요구 사항을 충족하기에 충분합니다.

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