MOSFETの仕組み

MOSFET の動作原理: ゲート バイアスによって電界が印加され、基板内に電界効果が生じます。電界効果により、ソースとドレインを接続する反転層が形成されます。反転層が経路を形成し、ソースからドレインに電流が流れて導通します。ゲートバイアスを解除すると反転層が消失し、電流が遮断されカットオフとなります。

#MOSFET の動作原理

電界効果

MOSFET の構造

• シリコン基板: MOSFET の基礎を形成する半導体材料 (通常は N 型または P 型)。
• ソースとドレイン: MOSFET に電流を供給するために使用される金属接点。
• ゲート: 導体 (通常は金属) と絶縁層 (酸化物) の間の金属接点。MOSFET のオンとオフを制御するために使用されます。

動作原理

1. ゲート バイアス: 正の電圧がゲートに印加されると、基板と絶縁層の間に電界が生成されます。
2. 電界効果: 電場は基板内の正孔または電子を引き付け(基板の種類に応じて)、反転層と呼ばれる領域を形成します。
3. 反転層: 反転層は、ソースとドレインを接続する導電性の高い領域です。
4. 伝導: 反転層が形成されると、ソースからドレインに電流が流れることができます。 MOSFETがオンになります。
5. カットオフ: ゲートバイアスが除去されると、反転層が消失し、電流はドレインに流れなくなります。 MOSFETはオフです。

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