サムスンは来年初めに300層以上の第9世代V-NANDフラッシュメモリを量産する予定で、業界最多の層数を持つと主張している

このサイトの 10 月 19 日のニュースによると、Samsung は世界最大の NAND フラッシュ メモリ サプライヤーであり、V-NAND (Samsung が 3D NAND と呼ぶもの) の開発に野心的な計画を持っており、今週 Samsung はいくつかの関連情報を共有しました。 。同社は、 300 層を超える第 9 世代 V-NAND フラッシュ メモリの生産が順調に進んでいることを確認し、業界で最も層数の多い 3D NAND になると述べています。

「第9世代V-NANDは2層構造を採用し、層数は最高レベルに達しています」サムスン電子の社長でメモリ部門責任者のイ・ジョンベ氏はブログ投稿でこう述べた。

このサイトは、Samsung が 300 層を超える第 9 世代 V-NAND を開発中で、2020 年に Samsung が初めて使用した 2 層技術を引き続き使用するというニュースが 8 月にあったことに気づきました。サムスンは現在、自社の 3D NAND は競合他社よりも効果的な層を持つと述べており、SK Hynix の次世代 3D NAND には 321 層があることが現時点でわかっているため、Samsung の第 9 世代 V-NAND はさらに多くの層を持つはずです。

層数の増加により、Samsung は 3D NAND デバイスの記憶密度を高めることができます。同社は、将来のタイプのフラッシュ メモリは記憶密度を高めるだけでなく、パフォーマンスも向上すると予想しています。

「サムスンは、V-NAND の入出力 (I/O) 速度を最大化できる新しい構造など、次世代の価値創造技術にも取り組んでいます。」と Lee Jung-bae 氏は述べました。

サムスンの第 9 世代 V-NAND がパフォーマンスの面でどのように機能するかはまだ不明ですが、同社はこのメモリを使用して、おそらく PCIe Gen5 を使用した今後のソリッド ステート ドライブを製造すると考えられています。インターフェース 。

長期的な技術革新に関して、サムスンはセル干渉を最小限に抑え、高さを削減し、垂直層の数を最大化することに取り組んでおり、これにより業界最小のセルサイズを実現できるようになります。これらのイノベーションは、1,000 層を超える層と高度に差別化されたメモリ ソリューションを備えた 3D NAND という Samsung のビジョンを前進させる上で重要な役割を果たします。

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