インテルは顧客から多額の前払いを受け取り、来年後半にインテル 18A の生産を開始する予定です

このサイトの 9 月 3 日のニュースによると、インテル CEO のパット ゲルシンガー氏がドイツ銀行の 2023 年テクノロジー カンファレンスでインテルの製品ロードマップとテクノロジーの進化について語ったそうです。

昨日、技術開発チームと一緒にオレゴン州に行ってきたところですが、悪くはなかったと言いたいです。 Intel 18A では正しい軌道に乗っていると感じています。ファウンドリの顧客には、信頼性の高い PDK が必要です。彼らは私たちにそれができると信じなければなりません。この分野に対する当社の関心は高まり続けており、進捗状況は非常に良好です。

「インテル 18A は来年後半に量産され、2025 年には当社が主導的な立場に立つと考えています。クリアウォーター フォレストなどの自社製品順調に進んでおり、ファウンドリの顧客と同様に、当社の次世代顧客製品はすべて後期設計段階に入っています。"

"現在、当社は 18A の生産能力に対して顧客から多額の前払いを受け取りました。顧客はすでに当社に関心を示しています。18A の容量を加速するために資本注入を選択したことに十分な自信を持っています。そのことに非常に満足しています。全体的には、先ほど述べたように、すべてが着実に進んでいます。顧客の前払いが本当にサポートしています。 18A Momentum の開発と製造能力が強調されています。"

"TSMC は市場を確立しており、私たちは TSMC の顧客です。そのため、私は彼らのウェーハコスト、平均ウェーハ販売価格、TSMC への売上高をよく知っています。 「N5の顧客、N3の顧客はN2の予算を示しています。私たちは目標が何であるかを知っています。」 「プロセスノード」計画の最後のノードは現在、計画通りに内部および外部のテストチップを着実に進めており、下半期には量産準備が整うと予想されています2024年に完成し、2025年に打ち上げられる予定です。

Intel は、現在最新の Intel 18A プロセス ノードに基づいて 5 つ以上の社内製品が開発中であり、Intel 18A は 2025 年に発売される予定であると述べました。次世代のエネルギー効率の高いコア Intel Xeon スケーラブル プロセッサ (開発コード名 Clearwater Forest) は 2025 年に出荷される予定で、Intel 18A プロセスを使用します。

ファウンドリに関しては、インテル 18A プロセス ノードは、プロセス内のさまざまな問題を適切に解決できるように、当初はインテルの社内製品を通じて生産を増やし、インテルのファウンドリに多大な貢献をすることになります。新しいプロセスのリスクを軽減します。最近インテルは、半導体 IP および EDA (電子設計自動化) の分野での長期的な戦略的パートナーシップを深め、インテル 3 およびインテル 18A プロセスベースの製品を共同開発するために、シノプシスと多世代協力契約を締結したと発表しました。インテル OEM サービスの顧客 ノードの IP ポートフォリオ。これまでに Arm は、多世代の最先端システム チップ設計に関する Intel Foundry Services との契約を締結しており、チップ設計会社が Intel 18A を使用して低電力コンピューティング システムオンチップ (SoC) を開発できるようになり、Intel も Intel を使用することになります。スウェーデンの通信機器ベンダー Ericsson 向けの 18A は、カスタマイズされた 5G システム レベルのチップを構築します。 Intel は、Intel 20A プロセス ノードで発売される最新の RibbonFET トランジスタもリリースしました。以下は、RibbonFET トランジスタの概要です。

RibbonFET トランジスタを通じて、インテルはゲートオールアラウンド (GAA、ゲートオールアラウンド) アーキテクチャの実装に成功しました。このアーキテクチャは、PowerVia バックサイド電源テクノロジーとともにインテル 20A プロセス ノードで導入され、引き続きインテル 18A プロセス ノードで使用され、インテルがプロセスのリーダーシップを取り戻し、製品のパフォーマンスを向上させ、インテルのファウンドリ サービス顧客に提供するのに役立ちます。より良い高品質サービス

トランジスタでは、ゲートが電流の流れを制御するスイッチのように機能します。 2012 年、Intel は、ゲートがトランジスタ チャネルの上部、左側、右側を囲むことを可能にする FinFET (Fin Field Effect Transistor) テクノロジーを率先して導入しました。この垂直アーキテクチャにより、より多くのトランジスタをチップに統合できるようになり、過去 10 年間にわたるムーアの法則の継続を効果的に推進できます。サイズは縮小し続け、短チャネル効果はますます顕著になり、電流制御はますます困難になり、FinFET は物理的な限界に近づいています。 FinFET 以来、Intel の最初の新しいトランジスタ アーキテクチャとして、RibbonFET フルサラウンド ゲート トランジスタは、ストリップ形状のトランジスタ チャネルを使用して、ゲートで完全に囲まれています。その主な利点には、次の 3 つの側面が含まれます。 ##まず、RibbonFET トランジスタでは、ゲートが電流の流れをより適切に制御し、あらゆる電圧でより強力な駆動電流を提供できるため、トランジスタのスイッチングが速くなり、それによってトランジスタの性能が向上します。

第二に、RibbonFET トランジスタ アーキテクチャの水平チャネルは、FinFET のようにフィンを単に並べて配置するのではなく、垂直に積み重ねることができるため、より小さなスペースで同じ性能を達成できるため、トランジスタ サイズのさらなる縮小が促進されます

第三に、RibbonFET はチップ設計の柔軟性をさらに高め、そのチャネルはニーズに応じて広げたり狭めたりできるため、携帯電話であろうとコンピュータであろうと、さまざまなアプリケーションシナリオにより適したものになります。ゲームでも医療でも、自動車でも人工知能でも、オンデマンドで簡単に構成できます。

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