ストレージの新時代の到来！ SKハイニックス、321層超高級フラッシュメモリを2025年に量産すると発表

8月21日のニュース 最近、NANDフラッシュメモリ技術が新たな大きな進歩を遂げ、ストレージ分野に新たな章を開きました。業界関係者によると、世界の主要ストレージメーカーは超高レベルのフラッシュメモリ製品の発売に競い合っており、ストレージ密度とパフォーマンスに対する業界の新たな期待を引き起こしている。

SK ハイニックスは最近、目を引く 300 層フラッシュ メモリの発売を発表しました。これは、NAND フラッシュ メモリ技術の積層数における大きな進歩を示しています。このフラッシュメモリは 321 層という驚異的な層を持ち、TLC 技術を使用しており、単一の Die の容量は最大 1Tb (128GB) に達しますが、この製品の量産は 2025 年まで予定されています。

サムスンも負けてはいられず、韓国メディアによると、2024年には独自の300層フラッシュメモリ製品を発売する予定で、一歩先を行く努力をしているという。サムスンのフラッシュメモリの詳細はまだ公表されていないが、確かなことは、この製品が依然としてデュアルスタック技術を使用しており、細部にわたって一連の革新を行っているということである。

層数の増加に加えて、フラッシュ メモリの容量も常に新記録を樹立していることは注目に値します。サムスンは最近、大容量ストレージに対するエンタープライズ市場の需要を満たすために、QLC テクノロジーを使用した最大 256TB のエンタープライズクラス SSD を発表しました。さらに、PB レベルの SSD の開発も積極的に行っており、近い将来、1,000TB を超える記憶容量が実現すると予想されています。

編集者は、NAND フラッシュ メモリの継続的な革新を理解しています。このテクノロジーはデータの保存と処理の分野に多大な影響を与えるでしょう。テクノロジーの進歩に伴い、ストレージデバイスの容量が増加し、速度が向上し、さまざまなアプリケーションシナリオをより強力にサポートします

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