サムスン、エネルギー節約に貢献する消費電力を 23% 削減した 12nm DDR5 DRAM をリリース

5 月 18 日のニュース、サムスンは本日、12nm プロセスを使用した DDR5 の量産を開始したと発表しました。 DRAM チップ、これはサムスンが昨年 12 月に 16Gb DDR5 DRAM の開発を初めて発表した後の重要な開発です。

Samsung のプレス リリースによると、新世代の DDR5 チップは前世代と比較して消費電力が 23% 削減され、ウェハの生産性が 20% 向上しました。新世代のチップは前世代よりも電力効率が高く、1枚のウェーハでより多くのチップを生産できるため、それに応じて生産効率も向上します。

この 12nm プロセス DDR5 DRAM チップの最大速度は 7.2Gbps で、これは 1 秒あたり 60GB のデータを処理できることに相当します。 ITBEAR Technology Information によると、これにより、このチップはデータセンター、人工知能、新たなコンピューティング アプリケーションのニーズを満たすことが可能になります。

Samsung は 16Gb DDR5 と言っています DRAM の低消費電力により、サーバーおよびデータセンターのオペレーターはエネルギー消費と二酸化炭素排出量を削減できます。さらに、チップには新しいタイプのHigh-k材料が使用されており、これによりチップがデータ信号の違いを正確に区別できるようになり、12nmノードの製造が実現されました。

この一連の革新と画期的な進歩により、メモリチップ分野におけるサムスンの主導的地位はさらに強固なものとなるでしょう。サムスンはすでに12nmプロセスを使用してDDR5を量産している DRAM では重要な一歩が踏み出され、データ処理の高速性と効率性を高める、より信頼性の高い高度なソリューションが提供されています。市場のストレージ需要が拡大し続ける中、Samsung の新世代 DDR5 DRAM チップはデータセンターとコンピューティングにおいて重要な役割を果たし、業界の進歩に貢献します。

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