SKハイニックス、2026年にASML High NA EUV露光装置を初導入予定

8月19日の当サイトのニュース。韓国メディアZDNet Koreaによると、SKハイニックスのEUV材料技術者は現地時間12日の技術会議に出席した際、メディアに対し、同社がASMLの高NA EUVを初めて導入する計画であると語ったという。時は2026年。リソグラフィーマシン。 SKハイニックスのエンジニアは、同社が最近高NA EUV研究開発チームを設立し、高NA EUVリソグラフィ技術を最先端のDRAMメモリの生産に適用することに取り組んでいると述べた。

1. インテル:

   • は世界初の商用高NA EUVリソグラフィーマシンの買収で主導権を握った
   • 2つの高NAマシンはすでにオレゴン州の研究開発工場に向かっています

2. TSMC:

   • 最初の高NA EUVリソグラフィーマシンは2024年に納入される予定です

3. サムスンエレクトロニクス:

   • 最初の高NA EUVリソグラフィー装置は2024年第4四半期から2025年第1四半期に納入される予定です

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