サムスン電子：eMRAMメモリプロセスのアップグレードは計画通り進めており、8nm版の開発はほぼ完了

5月31日の当ウェブサイトのニュースによると、サムスン電子の代表者は昨日韓国で開催された「AI-PIMセミナー」で、現時点では予定通りeMRAMメモリのプロセスアップグレードを段階的に進めていると述べた。 eMRAMはほぼ完成しました。

新しいタイプのメモリである MRAM は磁気原理に基づいており、DRAM メモリのようにデータを常に更新する必要がなく、より省エネで効率的です。 MRAM の速度は NAND の 1000 倍であり、より高い書き込み速度を必要とするアプリケーションをサポートします。

▲eMRAMの記憶原理

サムスン電子は現在、28nm eMRAMの生産能力を有しており、すでにスマートウォッチなどの最終製品を供給しています。

現在、Samsung Electronicsは14nm eMRAMの開発を完了しており、8nm eMRAMの開発も基本的に完了しており、2027年には5nm eMRAMを発売する予定です。

サムスン電子は、自動車分野におけるeMRAMの需要は今後も拡大すると考えており、同社の製品は現在150～160℃の耐熱性を備えており、自動車業界の半導体に対する厳しい要件を満たすのに十分である。

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