SK Hynix modernise son usine de Wuxi pour lancer des produits DRAM de quatrième génération

Ce site a rapporté le 16 janvier que selon le média coréen "Seoul Economic Daily", SK Hynix prévoit d'achever la transformation de l'usine Wuxi C2 d'ici 2024, conversion et mise à niveau vers le procédé D-ram de quatrième génération (1a), le processus atteint le niveau 10 nm.

L'usine de Wuxi est la principale base de production de SK hynix, représentant environ 40 % de sa production totale de D-RAM. L'usine produit actuellement des D-RAM de deuxième génération (1y) et de troisième génération (1z) au niveau tardif de 10 nanomètres, qui appartiennent à l'ancienne gamme de produits.

Selon l'actualité, SK Hynix prévoit d'achever une partie du processus D-RAM de quatrième génération à l'usine de Wuxi, de transporter les plaquettes jusqu'au campus d'Icheon de son siège social en Corée du Sud, puis de les restituer À Wuxi après l'usine de traitement EUV.

Étant donné qu'une seule couche D-RAM du produit de quatrième génération nécessite un traitement EUV, la société croit clairement que l'augmentation des coûts en vaut la peine.

Lors de l'incendie de l'usine de Wuxi en 2013, l'entreprise a surmonté les difficultés liées à l'interruption de la production de D-RAM et a accumulé une riche expérience.

Concernant la transformation des processus de l'usine de Wuxi, SK Hynix a déclaré qu'elle ne pouvait pas confirmer le plan d'exploitation spécifique de l'usine de l'entreprise.

Ce qui précède est le contenu détaillé de. pour plus d'informations, suivez d'autres articles connexes sur le site Web de PHP en chinois!