La mémoire SK Hynix LPDDR5T a réussi la vérification de compatibilité avec Qualcomm Snapdragon 8 Gen 3 : capacité de 16 Go et vitesse de 9,6 Gbit/s, une correspondance parfaite

Selon les informations de ce site Web du 25 octobre, SK Hynix a annoncé aujourd'hui sur son site officiel que la société a commencé à promouvoir la commercialisation de la « DRAM LPDDR5T (Low Power Double Data Rate 5 Turbo) », qui peut actuellement atteindre 9,6 Gbps ( 9,6 par seconde) en DRAM mobile Gigabit) vitesse maximale. SK Hynix a déclaré avoir récemment obtenu la première certification du secteur pour la DRAM LPDDR5T destinée à être utilisée dans la dernière plate-forme mobile Snapdragon 8 de troisième génération de Qualcomm Technologies.

SK Hynix a déclaré que depuis le développement de la DRAM LPDDR5T en janvier de cette année, ils ont lancé une coopération en matière de vérification de compatibilité avec Qualcomm. Les deux sociétés ont effectué une vérification sur des smartphones combinant la DRAM LPDDR5T avec la dernière plate-forme mobile Snapdragon 8 de troisième génération de Qualcomm, et les résultats ont montré que les deux produits ont démontré d'excellentes performances. SK Hynix a souligné : « La DRAM LPDDR5T de la société a terminé avec succès la vérification des performances avec les principaux téléphones mobiles. Fournisseurs d'AP (processeurs d'application) tels que Qualcomm, la société de puces de communication faisant autorité au monde. À l'avenir, la configuration de la DRAM LPDDR5T dans les appareils mobiles se développera rapidement. »

SK Hynix prévoit de fournir un LPDDR5T à ses clients. produit de package de capacité qui combine des puces DRAM uniques. La vitesse de traitement des données de ce produit est de 77 Go par seconde, ce qui équivaut au traitement de 15 films Full-HD (FHD) en 1 seconde.

De plus, la DRAM LPDDR5T peut fonctionner dans la plage standard de tension minimale de 1,01 ~ 1,12 V (volts) spécifiée par l'Organisation internationale de normalisation des semi-conducteurs (JEDEC), et présente également des avantages en termes de consommation d'énergie. L'équipe technique de SK Hynix a adopté le procédé HKMG (High-K Metal Gate) lors du développement de ce produit, ce qui a efficacement amélioré les performances en termes de vitesse de fonctionnement et de consommation d'énergie. À partir de là, la société s’attend à ce qu’avant la sortie de la prochaine génération de DRAM LPDDR6, la DRAM LPDDR5T occupera une grande proportion du marché de la DRAM mobile.

Selon les informations obtenues par Jiemian News auprès de la chaîne d'approvisionnement, la série vivo X100 deviendra le premier modèle phare au monde équipé de la mémoire Hynix LPDDR5T

Déclaration publicitaire : Les liens de saut externes contenus dans l'article (y compris Sans se limiter aux hyperliens, codes QR, mots de passe, etc.), utilisés pour transmettre plus d'informations et gagner du temps de sélection. Les résultats sont uniquement à titre de référence. Tous les articles de ce site incluent cette déclaration.

Ce qui précède est le contenu détaillé de. pour plus d'informations, suivez d'autres articles connexes sur le site Web de PHP en chinois!