Samsung Electronics prévoit de lancer la technologie de mémoire flash V-NAND à double couche avec plus de 300 couches l'année prochaine

Selon les derniers rapports, Samsung Electronics prévoit de lancer des produits de mémoire flash V-NAND de 9e génération l'année prochaine. Ce nouveau produit adoptera une architecture de pile double couche avec plus de 300 couches, apportant une percée dans le domaine de la technologie de stockage

Samsung prévoit d'introduire une architecture de pile double couche pour surpasser son rival SK Hynix en termes d'avancée technologique . Selon certaines informations, SK Hynix prévoit de démarrer la production en série d'une mémoire flash NAND à 321 couches avec une architecture de pile à trois couches au cours du premier semestre 2025. Cependant, dès 2020, Samsung a produit avec succès la puce de mémoire flash V-NAND de 7e génération

Cette initiative innovante devrait augmenter considérablement la densité de stockage, contribuant ainsi à réduire le coût de fabrication des disques SSD et à fournir aux consommateurs avec une solution de stockage plus rentable. La technologie d'architecture de pile double couche de Samsung est une nouvelle pile construite sur la pile NAND 3D existante. Cette méthode peut non seulement augmenter la production, mais également utiliser les ressources plus efficacement

Selon l'éditeur, SK hynix adopte un. architecture de pile à trois couches différente de ses concurrents. Cette architecture crée trois ensembles différents de couches au-dessus d'une couche NAND 3D. Bien que cela puisse augmenter la production, cela augmentera également l'utilisation d'étapes de production et de matières premières

Des initiés de l'industrie ont révélé au Séoul Economic Daily que Samsung lance la 9ème génération de 3D. Après NAND, il est prévu d'adopter une architecture de pile à trois couches dans les produits de 10e génération, qui devrait atteindre 430 couches. Ce choix technologique garantit non seulement un débit plus élevé, mais permet également de faire face aux pressions sur les matières premières et les coûts qui peuvent survenir au-delà de 400 couches.

Lors du « 2022 Samsung Technology Day » en 2022, Samsung a proposé des objectifs ambitieux à long terme, prévoyant d'apporter la 3D Le nombre de couches NAND a été augmenté à 1 000. Cet objectif montre la poursuite persistante de Samsung dans le développement de futures technologies de stockage.

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