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Was ist ein Flash-Laufwerk?
Artikeleinführung:Ein Flash-Laufwerk ist ein mobiles Miniaturspeicherprodukt mit hoher Kapazität, das kein physisches Laufwerk erfordert. Das verwendete Speichermedium ist ein Flash-Speicher. Das Flash-Laufwerk hat zwei Hauptverwendungszwecke: 1. Es kann zum Austausch von Dateien mit einer Größe von mehr als 1,44 MB zwischen Computern verwendet werden, die nicht mit dem Internet verbunden sind. 2. Es kann als Ersatz für das Diskettenlaufwerk eines Laptops verwendet werden.
2021-02-19
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Huawei bringt zwei neue All-Flash-Produkte auf den Markt, um Flash-Speicher in allen Szenarien zu fördern
Artikeleinführung:Laut Nachrichten dieser Website vom 16. November erfuhr diese Website von der offiziellen Website von Huawei, dass Yang Chaobin, Direktor und Präsident für IKT-Produkte und -Lösungen von Huawei, auf der heutigen Huawei All-Connect-Konferenz 2023 in Paris offiziell zwei neue All-Flash-Produkte vorgestellt hat, OceanStorPacific9920 und OceanStorDorado2100, um All-Szenario-Flash-Speicher stark zu fördern und Kunden dabei zu helfen, effizientere und zuverlässigere Rechenzentren aufzubauen. Yang Chaobin, Direktor von Huawei und Präsident für IKT-Produkte und -Lösungen (Quelle: Huaweis offizielle Website) Yang Chaobin betonte: „Während große Netzwerke mit großer Kapazität die Rechenleistung vollständig freisetzen, erfordern allgegenwärtige Datendienste auch eine höhere Leistung und mehr Zuverlässigkeit.“ und eine umweltfreundlichere und energiesparendere Datenspeicherung. Im Vergleich zu mechanischen Festplatten bietet Flash-Speicher eine bessere Leistung, Zuverlässigkeit und einen besseren Stromverbrauch.
2023-11-18
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闪迪 2024 新品媒体分享会举办 实力打造闪存存储超一流品牌
Artikeleinführung:随着数字经济时代的迅猛发展,数字内容已经成为个人消费者的核心资产之一,因此存储就成为绕不开的话题。5月21日,全球领先的存储品牌西部数据旗下子品牌(SanDisk)举办了2024新品媒体分享会,成为传递现代存储设备技术发展动向的重要窗口。作为现代先进的存储产品,以闪存(NANDFLASH)为核心的各类固态驱动器(SSD),不断拓展容量、速度与效率的边界。作为最早耕耘存储领域的品牌之一,闪迪在1994年就推出世界首款CF存储卡,宣告影像正式进入数字时代。目前在闪迪旗下的产品线更为丰富,除了各类存储卡、闪存盘
2024-05-22
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Was ist besser: Kingston-Speicherkarte oder SanDisk-Speicherkarte?
Artikeleinführung:Beim Kauf von Speichermodulen sind viele Benutzer verwirrt, welche Marke zwischen Kingston und SanDisk besser ist. Welche ist besser, Kingston-Speicherkarte oder SanDisk-Speicherkarte? Antwort: Beide Marken haben ihre eigenen Vorteile. Das hängt von den persönlichen Vorlieben ab. Wenn Sie jedoch etwas günstigeres wünschen, können Sie sich für Kingston entscheiden. Wenn Sie einen guten Kundendienst wünschen, können Sie sich für SanDisk entscheiden. 1. Einsatzumgebung: SanDisk ist vibrationsfest, antimagnetisch, wasserdicht, hitzebeständig, kältebeständig und schlagfest Es gibt keinen großen Unterschied zwischen den beiden. 2. Geschwindigkeit: Die kontinuierliche Lesegeschwindigkeit der beiden Karten ist nahezu gleich. Die kontinuierliche Schreibgeschwindigkeit der SanDisk ist doppelt so hoch, während die Kingston etwas schlechter ist. 3. Entwicklungsgeschichte 1. SanDisk begann mit 1
2024-02-03
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Kioxia will im Jahr 2031 1.000-Layer-NAND-Flash-Speicher auf den Markt bringen, um das Geschäft mit Speicherspeichern neu zu organisieren
Artikeleinführung:Laut dem Nikkei xTECH-Bericht sagte Hideshi Miyajima, CTO von Kioxia, kürzlich bei der 71. Frühjahrsvorlesung der Japan Society of Applied Physics, dass das Unternehmen die Einführung von 1000-Schicht-3D-NAND-Flash-Speichern in den Jahren 2030 bis 2031 und Speicher auf Speicherebene anstrebt (SCM)-Geschäft wurde umstrukturiert. Kioxia und Western Digital arbeiten bei der Entwicklung der NAND-Flash-Speichertechnologie zusammen. Das derzeit fortschrittlichste Produkt dieser Partner ist der 218-schichtige gestapelte BICS83D-Flash-Speicher. Der BICS8-Flash-Speicher kann eine I/O-Rate von 3200 MT/s erreichen. Im Jahr 2022 zeigte ein weiteres großes NAND-Unternehmen beim Technology Day eine ähnliche Ansicht. Es wird prognostiziert, dass sie bis 2030 einen gestapelten 3D-NAND-Speicher mit 1.000 Schichten erreichen wollen. Erhöhen Sie die Anzahl der Stapelschichten
2024-04-07
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闪动校园app如何清理缓存 闪动校园清理缓存方法
Artikeleinführung:第一步:打开闪动校园的首页,点击【三横线】图标。第二步:选择【个人设置】。第三步:点击【清理缓存】选项。第四步:系统弹出【缓存清理成功】的提示,即可清理缓存。
2024-08-29
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Der Yangtze Memory QLC-Flash-Speicher X3-6070 hat eine Schreib- und Löschlebensdauer von 4.000 Malen und schließt damit mit TLC-Produkten auf
Artikeleinführung:Laut Nachrichten dieser Website vom 28. März erklärte Yangtze Memory laut taiwanesischen Medien DIGITIMES auf dem China Flash Memory Market Summit CFMS2024, dass der Flash-Speicher X3-6070QLC mit Xtacking-Technologie der dritten Generation eine KGV-Ausdauer von 4.000 Mal erreicht habe . Hinweis von dieser Website: Anders als bei der Garantiedauer weisen Original-TLC-Solid-State-Laufwerke der Verbraucherklasse in Tests im Allgemeinen eine Lösch- und Schreiblebensdauer von mindestens 3.000 P/E-Leveln auf. ▲Bildquelle China Flash Memory Market Summit CFMS-Beamter, derselbe unten Huo Zongliang, CTO von Yangtze Memory, sagte, dass die NAND-Flash-Speicherbranche das schwierigste Jahr 2023 hinter sich habe und in diesem Jahr in eine Aufwärtsphase eintreten werde Der Gesamtbedarf an Flash-Speicher wird von 2023 bis 2027 mit einer durchschnittlichen Rate wachsen. Die Rate kann bis zu 21 % betragen, und die durchschnittliche Kapazität eines einzelnen Geräts beträgt 21 %
2024-03-28
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Beginn einer neuen Ära der Speicherung! SK Hynix kündigt die Massenproduktion von 321-Layer-Ultra-High-Level-Flash-Speichern im Jahr 2025 an
Artikeleinführung:Nachrichten vom 21. August zufolge hat die NAND-Flash-Speichertechnologie kürzlich einen weiteren großen Durchbruch erzielt und damit ein neues Kapitel im Speicherbereich aufgeschlagen. Laut Branchenquellen konkurrieren die größten Speicherhersteller der Welt um die Einführung von Flash-Speicherprodukten auf höchstem Niveau, was neue Erwartungen in der Branche an Speicherdichte und -leistung weckt. SK Hynix kündigte kürzlich die Einführung eines beeindruckenden Flash-Speichers mit mehr als 300 Schichten an, was einen enormen Fortschritt in der NAND-Flash-Speichertechnologie im Hinblick auf das Stapeln von Schichten darstellt. Dieser Flash-Speicher hat erstaunliche 321 Schichten, nutzt TLC-Technologie und die Kapazität eines einzelnen Die beträgt bis zu 1 TB (128 GB). Dieses Produkt wird jedoch erst 2025 in Massenproduktion hergestellt. Laut koreanischen Medien will Samsung im Jahr 2024 eigene Flash-Speicherprodukte mit mehr als 300 Schichten auf den Markt bringen und will damit einen Schritt voraus sein.
2023-08-22
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苹果 iPhone 将用寿命 / 性能更低的 QLC 闪存
Artikeleinführung:根据国外媒体的报道,苹果将会在2026年发布的新iPhone手机上启用更大的存储设计,预计会是2TB。另外,消息称苹果将会使用QLCNAND闪存,原因可能是控制成本。1.存储容量的变化消息称,苹果可能在iPhone16上改变存储容量。不再使用三层单元(TLC)NAND闪存,而是在存储容量达到或超过1TB的机型上使用四层单元(QLC)NAND闪存。2.QLC闪存的优势与TLC相比,QLC的优势在于每个存储单元可以存储四位数据。在使用相同数量的单元时,比TLC储存更多的数据,或者使用更少的单元储存更
2024-07-26
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Was ist ein USB-Stick?
Artikeleinführung:Ein USB-Flash-Laufwerk ist ein mobiles Miniaturspeicherprodukt mit hoher Kapazität, das eine USB-Schnittstelle verwendet und kein physisches Laufwerk benötigt. Es wird über die USB-Schnittstelle an den Computer angeschlossen, um Plug-and-Play zu erreichen. USB ist die Abkürzung für Universal Serial Bus.
2020-10-19
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win10玩游戏闪退内存不足怎么办 win10玩游戏闪退内存不足解决方法
Artikeleinführung:大家好!你们知道吗?在用win10玩游戏时,有时候会突然闪退,还显示内存不足,这可怎么办呢?别担心,其实解决这个问题很简单,只需要打开属性下的高级系统设置就可以了。我们一起来看看win10玩游戏闪退内存不足的问题解析吧!win10玩游戏闪退内存不足问题解析1、首先右击桌面的此电脑,然后打开属性。2、点击左侧任务栏的“高级系统设置”。3、在设置任务栏中,点击高级选项然后点击右下角的设置。4、进入设置后再选择高级任务栏,然后更改虚拟内存即可。
2024-09-08
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Win10cf提示内存不足闪退
Artikeleinführung:Win10cf提示内存不足闪退的原因有:1. 运行内存不足;2. 程序或应用程序内存需求过大;3. 内存泄漏;4. 恶意软件感染;5. 后台服务过多。解决办法包括增加RAM容量、关闭不必要的程序、检查内存泄漏、扫描恶意软件和管理后台服务。
2024-08-11
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Möglicherweise verwendet das Apple iPhone 16 Pro 1 TB die langsame QLC-Flash-Technologie
Artikeleinführung:Vielen Dank an den Internetnutzer Wu Yanzu aus Südchina für die Übermittlung des Hinweises! Laut DigiTimes-Berichten vom 17. Januar könnten die mit 1 TB Speicher ausgestatteten Modelle der iPhone 16 Pro-Serie zur Kostensenkung QLCNAND-Flash-Speicher mit langsameren Lese- und Schreibgeschwindigkeiten verwenden. Beachten Sie, dass Apple derzeit auf dem iPhone den teureren TLCNAND-Flash-Speicher verwendet. Der Vorteil von QLC-Flash-Speicher besteht darin, dass mehr Speicher auf kleinerem Raum untergebracht werden kann und die Kosten geringer sind. Der Nachteil besteht jedoch darin, dass die Lese- und Schreibgeschwindigkeit langsamer ist und die Haltbarkeit und Zuverlässigkeit geringer sind als bei TLC-Flash-Speicher. Natürlich kann Apple diese Probleme durch gezielte Optimierungen abmildern. In dem Bericht heißt es auch, dass die Verwendung von QLC-Flash-Speicher es ermöglichen könnte, erstmals ein iPhone mit 2 TB Speicher auf den Markt zu bringen
2024-01-17
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SanDisk USB-Flash-Laufwerk, Ihre zuverlässige Wahl für die mobile Speicherung
Artikeleinführung:SanDisk ist eine weltweit bekannte Marke für Speichergeräte, und SanDisk USB-Flash-Laufwerke haben mit ihrer hervorragenden Leistung und hervorragenden Qualität die Gunst unzähliger Benutzer gewonnen. In diesem Artikel werden die Eigenschaften, Verwendung und Kaufvorschläge von SanDisk USB-Flash-Laufwerken zum Schutz Ihrer Datenspeicherung umfassend vorgestellt. Werkzeugmaterialien: Systemversion: Windows 11/macOS Monterey Markenmodell: SanDisk Extreme G2256GB Softwareversion: SanDisk Secure Access 3.02 1. Funktionen des SanDisk USB-Flash-Laufwerks 1. Hochgeschwindigkeitsübertragung: Durch die Verwendung der USB3.2Gen1-Technologie ist die Lesegeschwindigkeit erhöht Bis zu 420 MB/s. Dies ist mehr als das Fünffache der Geschwindigkeit herkömmlicher USB-Flash-Laufwerke, was die Effizienz der Datenübertragung erheblich verbessert. 2. Sicherheitsverschlüsselung: integrierte SanDiskSe
2024-04-17
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全球首款,闪迪将展示 4TB microSD 和 8TB SD 存储卡
Artikeleinführung:本站8月9日消息,西部数据将于本周出席在美国加州圣克拉拉举行的“未来内存和存储大会”,将展示全球首款4TBmicroSD和8TBSD存储卡。闪迪表示这两款储存卡设计用于智能手机、游戏设备、无人机、相机和笔记本电脑,均只有UHS-I,这意味着闪迪延续了牺牲速度来换取容量的趋势。闪迪官方并未公布这些存储卡的速度细节和V级别,消息源petapixel表示闪迪目前采用UHS-I技术的1TB存储卡最低传输速度为30MB/s,峰值传输速度为200MB/s,但却无法保持这一速度。闪迪1.5TBmicroSD卡的情况更糟
2024-08-09
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Wie kann das Problem des unzureichenden Speichers beim Spielen von Spielen unter Windows 10 gelöst werden?
Artikeleinführung:Wie kann das Problem des unzureichenden Speichers beim Spielen von Spielen unter Windows 10 gelöst werden? Wenn wir das Win10-System zum Spielen verwenden, kommt es zu einem Absturz und der Meldung, dass nicht genügend Speicher vorhanden ist. Was sollen wir also tun? Benutzer können die erweiterten Systemeinstellungen direkt unter Eigenschaften öffnen. Auf dieser Website erhalten Benutzer eine detaillierte Einführung in die Analyse des Problems des unzureichenden Speichers beim Spielen von Spielen unter Win10. Analyse des Problems des unzureichenden Speichers beim Spielen von Spielen unter Windows 10 1. Klicken Sie zunächst mit der rechten Maustaste auf „Dieser Computer“ auf dem Desktop und öffnen Sie dann „Eigenschaften“. 2. Klicken Sie in der linken Taskleiste auf „Erweiterte Systemeinstellungen“. 3. Klicken Sie in der Taskleiste „Einstellungen“ auf „Erweiterte Optionen“ und dann unten rechts auf „Einstellungen“. 4. Wählen Sie nach Eingabe der Einstellungen die erweiterte Taskleiste aus und ändern Sie dann den virtuellen Speicher.
2024-03-17
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SanDisk kündigt eine 1,5 TB große microSD-Speicherkarte mit erstaunlicher Speicherkapazität an
Artikeleinführung:Laut Nachrichten vom 28. September hat SanDisk kürzlich angekündigt, am 16. Oktober eine microSD-Speicherkarte mit einer Kapazität von bis zu 1,5 TB zum Preis von 149 US-Dollar (ca. 1.089 RMB) auf den Markt zu bringen, was 100 GB Speicherplatz entspricht. Diese Karte ist eine seltene Wahl für Benutzer, die eine große Speicherkapazität benötigen. Die 1,5 TB große microSD-Speicherkarte bietet ein breites Anwendungsspektrum und kann in Tablets, Smartphones, Laptops und anderen microSDXC-kompatiblen Geräten verwendet werden. Es ist jedoch zu beachten, dass nicht alle Smartphones und Tablet-Geräte diese Speicherkarte unterstützen können, da die Speichererweiterungsgrenze der meisten Geräte normalerweise bei 512 GB oder 1 TB liegt
2023-09-29
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华为发布新一代 OceanStor Dorado 全闪存存储:单设备可靠性 99.99999%
Artikeleinführung:本站9月22日消息,华为全联接大会2024期间,华为发布了新一代OceanStorDorado全闪存存储。华为董事、ICT产品与解决方案总裁杨超斌发表主题演讲,并发布新一代OceanStorDorado全闪存存储,本站附该产品特点如下:智能DPU(数据处理单元)网卡提供数据流和控制流分离能力,打破处理器性能瓶颈,以专用硬件功能卡卸载CPU算力,开启增值特性功能后性能无损全新升级的FLASHLINK智能盘控卡协同算法,达成存储系统亿级IOPS、0.03毫秒低时延,相较上一代全闪存存储产品提升性能3倍新一代S
2024-09-23
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SK Hynix bringt 321-Layer-Flash-Speicher auf den Markt, um die Speichereffizienz zu verbessern und eine neue Ära einzuleiten
Artikeleinführung:Der südkoreanische Halbleiterriese SK Hynix gab am 9. August einen großen Durchbruch bekannt und brachte erfolgreich einen neuen 321-Layer-1-TB-TLCNAND-Flash-Speicher auf den Markt. Damit ist er das erste Unternehmen weltweit, das offiziell mehr als 300 Layer NAND-Flash-Speicher entwickelt hat großartige Ergebnisse im Bereich NAND-Flash-Speicher Ihre bahnbrechende technologische Errungenschaft ist der 321-Layer-1TbTLCNAND, der eine erstaunliche Effizienzsteigerung von 59 % im Vergleich zur vorherigen Generation von 238-Layer-512-GbNAND aufweist. Durch die Erhöhung der Anzahl und Schichten der Speicherzellen in jedem Chip ist es SK Hynix gelungen, eine größere Speicherkapazität zu erreichen und damit nicht nur die Speicherkapazität eines einzelnen Chips zu erhöhen, sondern auch den Durchsatz der Chips auf jedem Wafer effektiv zu steigern. Lux plant, mit der Massenproduktion zu beginnen dieses Modells im ersten Halbjahr 2025
2023-08-12
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Die 280-Layer-Stacked-QLC-Flash-Speichertechnologie von Samsung eröffnet eine neue Ära der Speicherung
Artikeleinführung:Samsung hat kürzlich bekannt gegeben, dass sie aktiv an der Entwicklung der V9QLC-Flash-Speichertechnologie der nächsten Generation arbeiten. Diese Technologie ermöglicht das Stapeln von bis zu 280 Schichten und wird voraussichtlich noch in diesem Jahr offiziell eingeführt. Diese technologische Innovation wird die Speicherkapazität und Leistung deutlich steigern. Es wird berichtet, dass die Speicherdichte der V9QLC-Flash-Speichertechnologie von Samsung erstaunliche 28,5 GB pro Quadratmillimeter erreichen wird, was einer Steigerung von bis zu 36 % im Vergleich zu den 20,62 GB der derzeit marktführenden 232-Layer-QLC-Technologie von Yangtze Memory entspricht . Gleichzeitig verblassen die QLC-Lösungen anderer Wettbewerber im Vergleich hinsichtlich der Speicherdichte, wie etwa die 232-Schichten-Lösung von Micron mit 19,5 GB, die 176-Schichten-Lösung von SK Hynix mit 14,4 GB und die 162-Schichten-Lösung von Western Digital/Kioxia 13,86 GB. Das zeigt
2024-01-30
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