Das wissenschaftliche Forschungsteam unseres Landes hat die vorläufige Überprüfung der neuen Fotolacktechnologie abgeschlossen, die eine bessere Leistung als die meisten kommerziellen Fotolacke aufweist

Laut dem Hubei Jiufengshan Laboratory sind die Qualität und Leistung des Fotolacks als unverzichtbares Material für die Halbleiterherstellung Schlüsselfaktoren für die elektrische Leistung, Ausbeute und Zuverlässigkeit integrierter Schaltkreise. Allerdings ist die technische Schwelle für Fotolack hoch und es gibt nur eine Handvoll Fotolackprodukte auf dem Markt, die eine hohe Prozessstabilität, große Prozesstoleranz und eine starke universelle Anwendbarkeit aufweisen. Wenn Halbleiterchips eine Größe von 100 nm oder sogar weniger als 10 nm erreichen, ist die Herstellung fotolithografischer Muster mit hoher Auflösung, ausgezeichneter Querschnittsmorphologie und geringen Linienkantenfehlern zu einem häufigen Problem bei der fotolithografischen Herstellung geworden.

Als Reaktion auf das oben genannte Engpassproblem bildeten das Jiufengshan Laboratory und die Huazhong University of Science and Technology ein gemeinsames Forschungsteam, um das Team der Huazhong University of Science and Technology dabei zu unterstützen, den „Photoresist mit chemischer Verstärkung und dualer nichtionischer Photosäure synergistisch“ zu durchbrechen „Enhanced Response“-Technologie .

Diese Forschung verwendet zwei lichtempfindliche Einheiten, um durch ein ausgeklügeltes chemisches Strukturdesign einen „Photoresist mit chemischer Verstärkung und dualer nichtionischer Photosäure, synergistisch verstärkter Reaktion“ zu konstruieren und schließlich die Morphologie des Photolithographiebildes und die Rauheit der Linienkanten sowie einen hervorragenden Raum zu erhalten. Die Standardabweichung (SD) Der Wert der Normalverteilung der Musterbreiten ist extrem klein (ca. 0,05) und die Leistung ist besser als bei den meisten kommerziellen Fotolacken. Darüber hinaus entspricht die für jeden Schritt der Fotolithographie und Entwicklung erforderliche Zeit vollständig den Anforderungen an Durchsatz und Produktionseffizienz bei der Herstellung von Halbleitermassen. Von diesem Forschungsergebnis werden klare Hinweise für häufig auftretende Probleme bei der Herstellung von Fotolithografien erwartet.

Gleichzeitig werden dadurch technische Reserven für die Entwicklung von EUV-Fotolacken bereitgestellt.

Die relevanten Ergebnisse trugen den Titel „Dual nonionic photoacids synergistically Enhanced Photosensitivity for Chemical Amplified Resists“ und wurden am 15. Februar 2024 in der internationalen Top-Fachzeitschrift Chemical Engineering Journal (IF=15.1) veröffentlicht.

Dieses Projekt wird von der China Natural Science Foundation (Programm 1973) kofinanziert, hauptsächlich als Professor Zhu Mingqiang vom Optoelectronics National Research Center der Huazhong University of Science and Technology, Professor Shi Jun und Dr. Xiang Shili vom Hubei Jiufengshan Laboratory Technologiezentrum.)

Unter Berufung auf die Prozessplattform des Jiufengshan Laboratory hat das oben genannte Fotoresistsystem mit unabhängigen Rechten an geistigem Eigentum die vorläufige Prozessüberprüfung in der Produktionslinie abgeschlossen und gleichzeitig die Erkennung und Optimierung verschiedener technischer Indikatoren abgeschlossen, wodurch die gesamte Kette realisiert wurde Von der Technologieentwicklung bis zur Leistungstransformation.

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https://doi.org/10.1016/j.cej.2024.148810

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