Der Yangtze Memory QLC-Flash-Speicher X3-6070 hat eine Schreib- und Löschlebensdauer von 4.000 Malen und schließt damit mit TLC-Produkten auf

Laut Nachrichten dieser Website vom 28. März erklärte Yangtze Memory laut den taiwanesischen Medien DIGITIMES auf dem China Flash Memory Market Summit CFMS2024, dass der QLC-Flashspeicher X3-6070 mit Xtacking-Technologie der dritten Generation ein KGV-Ausdauer von erreicht hat 4.000 Mal.

Hinweis von dieser Website: Anders als bei der Garantiedauer weisen Original-TLC-Solid-State-Laufwerke der Verbraucherklasse in Tests im Allgemeinen eine Lösch- und Schreiblebensdauer von mindestens 3.000 P/E-Leveln auf.

Yangtze Memory CTO Huo Zongliang sagte, dass die NAND-Flash-Speicherbranche das schwierigste Jahr 2023 bereits hinter sich hat und in diesem Jahr in eine Aufschwungphase eintreten wird Die Gesamtwachstumsrate des gesamten Flash-Speicherbedarfs kann 21 % erreichen, und die Gesamtwachstumsrate der durchschnittlichen Kapazität eines einzelnen Geräts beträgt 20 %.

In diesem steigenden Zyklus sind die drei größten neuen Herausforderungen, denen sich der Speichermarkt gegenübersieht, die schnelle Reduzierung der Kosten pro GB, eine beschleunigte Verbesserung der Lese- und Schreibleistung und die Erfüllung unterschiedlicher Anforderungen an den Speicher .

Im Hinblick auf die Verbesserung der Dichte Die Erhöhung der Anzahl der Stapelschichten von 3D-NAND ist zu einem neuen Problem in der Branche geworden, daher ist es notwendig, die Anwendung von QLC NAND zu fördern. Laut Marktprognosen soll der Anteil von QLC bis 2027 40 % überschreiten und damit deutlich über den 13 % des Vorjahres liegen.

Yangtze Memory sagte, dass sein X3-6070 QLC-Flash-Speicher mit Xtacking-Technologie der dritten Generation im Vergleich zum Produkt der vorherigen Generation eine um 50 % höhere E/A-Geschwindigkeit, eine um 70 % höhere Speicherdichte und eine Lösch-/Schreiblebensdauer von 4000 habe. Das bedeutet, dass die QLC-Technologie von Yangtze Storage ausgereift ist und auf Speicher auf Unternehmensebene, mobile Terminals und andere Bereiche ausgeweitet werden kann. Yihengchuangyuan stellte auf diesem Gipfel die für Rechenzentren geeigneten Solid-State-Laufwerke der PBlaze7 7340-Serie vor, die auf Langzeit-QLC-Flash-Speicher basieren.

Was die technischen Details betrifft, so sorgt das Design der Xtacking-Struktur, das den CMOS-Schaltkreis vom Flash-Speicher-Array trennt, für mehr Flexibilität beim Betriebsalgorithmus und verbessert so die Zuverlässigkeit von QLC. Darüber hinaus ermöglicht die Xtacking-Technologie der dritten Generation eine flexiblere Spannungsmodulation und der Lesefensterspielraum wurde verbessert.

Darüber hinaus führte Yangtze Memory vor Ort auch das Consumer-QLC-Solid-State-Laufwerk PC41Q vor. PC41Q verfügt über eine sequentielle Lese- und Schreibbandbreite von 5500 MB/s. Yangtze Memory gibt an, dass die Datenspeicherfähigkeit und Zuverlässigkeit dieses Solid-State-Laufwerks mit denen von TLC-Solid-State-Laufwerken vergleichbar sind und eine Datenspeicherung von 1 Jahr und 2 Millionen Stunden MTBF erreichen bei 30°C.

Das obige ist der detaillierte Inhalt vonDer Yangtze Memory QLC-Flash-Speicher X3-6070 hat eine Schreib- und Löschlebensdauer von 4.000 Malen und schließt damit mit TLC-Produkten auf. Für weitere Informationen folgen Sie bitte anderen verwandten Artikeln auf der PHP chinesischen Website!