Der SK Hynix LPDDR5T-Speicher hat die Kompatibilitätsprüfung mit Qualcomm Snapdragon 8 Gen 3 bestanden: 16 GB Kapazität und eine Geschwindigkeit von 9,6 Gbit/s, eine perfekte Übereinstimmung

Laut Nachrichten dieser Website vom 25. Oktober gab SK Hynix heute auf seiner offiziellen Website bekannt, dass das Unternehmen mit der Förderung der Kommerzialisierung von „LPDDR5T (Low Power Double Data Rate 5 Turbo) DRAM“ begonnen hat, das derzeit 9,6 Gbit/s erreichen kann ( 9,6 pro Sekunde) im mobilen DRAM (Gigabit) maximale Geschwindigkeit. SK Hynix gab bekannt, dass es kürzlich die branchenweit erste Zertifizierung von LPDDR5T-DRAM für den Einsatz in der neuesten mobilen Plattform Snapdragon 8 der dritten Generation von Qualcomm Technologies erhalten hat.

SK Hynix gab bekannt, dass sie seit der Entwicklung des LPDDR5T-DRAM im Januar dieses Jahres eine Zusammenarbeit zur Kompatibilitätsprüfung mit Qualcomm gestartet haben. Die beiden Unternehmen führten eine Verifizierung an Smartphones durch, die LPDDR5T-DRAM mit Qualcomms neuester mobiler Plattform Snapdragon 8 der dritten Generation kombinierten, und die Ergebnisse zeigten, dass beide Produkte eine hervorragende Leistung zeigten. SK Hynix betonte: „Das LPDDR5T-DRAM des Unternehmens hat die Leistungsverifizierung mit wichtigen Mobilgeräten erfolgreich abgeschlossen.“ AP-Anbieter (Application Processor) wie Qualcomm, das weltweit führende Unternehmen für Kommunikationschips, werden in Zukunft das Layout von LPDDR5T-DRAM in mobilen Geräten schnell erweitern.“

SK Hynix plant, Kunden LPDDR5T zur Verfügung zu stellen. Kapazitätspaketprodukt, das DRAM-Einzelchips kombiniert. Die Datenverarbeitungsgeschwindigkeit dieses Produkts beträgt 77 GB pro Sekunde, was der Verarbeitung von 15 Full-HD-Filmen (FHD) in 1 Sekunde entspricht.

Darüber hinaus kann LPDDR5T DRAM innerhalb des von der International Organization for Semiconductor Standardization (JEDEC) festgelegten Mindestspannungsstandardbereichs von 1,01 bis 1,12 V (Volt) betrieben werden und bietet auch Vorteile beim Stromverbrauch. Das technische Team von SK Hynix hat bei der Entwicklung dieses Produkts den HKMG-Prozess (High-K Metal Gate) übernommen, der die Leistung in Bezug auf Betriebsgeschwindigkeit und Stromverbrauch effektiv verbesserte. Daraus geht das Unternehmen davon aus, dass LPDDR5T-DRAM einen großen Anteil des mobilen DRAM-Marktes einnehmen wird, bevor die nächste Generation des LPDDR6-DRAM auf den Markt kommt.

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