Intel erhält eine große Kundenvorauszahlung und geht davon aus, Ende nächsten Jahres mit der Produktion des Intel 18A zu beginnen

Laut Nachrichten dieser Website vom 3. September sprach Intel-CEO Pat Gelsinger auf der Technologiekonferenz 2023 der Deutschen Bank über Intels Produkt-Roadmap und Technologieentwicklung.

Ich wollte nur sagen, dass ich gestern mit unserem technischen Entwicklungsteam nach Oregon gereist bin und es ziemlich gut war. Wir glauben, dass wir mit Intel 18A auf dem richtigen Weg sind. Gießereikunden benötigen ein zuverlässiges PDK. Sie müssen daran glauben, dass wir das schaffen können. Unser Interesse an diesem Bereich wächst weiter und die Fortschritte laufen sehr gut

„Wir glauben, dass Intel 18A Ende nächsten Jahres in Produktion gehen wird, was uns im Jahr 2025 eine führende Position verschafft. Unsere hauseigenen Produkte wie Clearwater Forest machen gute Fortschritte und.“ Unsere Kundenprodukte der nächsten Generation befinden sich in der späten Entwicklungsphase, ebenso wie die Gießereikunden: „Jetzt haben wir von Kunden eine große Anzahlung für die 18A-Produktionskapazität erhalten, und sie haben genug Vertrauen in uns, dass sie sich entschieden haben.“ um Kapital zuzuführen.“ um unsere 18A-Produktionskapazität zu beschleunigen. Insgesamt geht, wie gesagt, alles stetig voran, was wirklich zur Dynamik und Produktionskapazität von 18A beiträgt. „

“ TSMC hat den Markt etabliert, wir sind TSMCs Kunden, also kenne ich ihre Wafer-Kosten, ihre durchschnittlichen Wafer-Verkaufspreise, ihre N2-Budgets, die sie ihren N5-Kunden zeigen, ihre N3-Kunden.“

Intel sagte, dass Intel 18A ist der letzte Knoten von Intels „Fünf Prozessknoten in vier Jahren“-Plan und schreitet derzeit wie geplant bei internen und externen Testchips voran. Er wird voraussichtlich in der zweiten Hälfte des Jahres 2024 produktionsbereit sein im Jahr 2025 auf den Markt kommen.

Intel sagte, dass derzeit mehr als fünf interne Produkte auf Basis des neuesten Intel 18A-Prozessknotens entwickelt werden und Intel 18A voraussichtlich im Jahr 2025 verfügbar sein wird. Der energieeffiziente Intel Xeon Scalable-Kernprozessor der nächsten Generation mit dem Codenamen Clearwater Forest soll 2025 ausgeliefert werden und den Intel 18A-Prozess nutzen.

In Bezug auf die Gießerei wird der Intel 18A-Prozessknoten zunächst die Produktion durch die internen Produkte von Intel steigern, sodass verschiedene Probleme mit dem Prozess ordnungsgemäß gelöst werden können, wodurch neue Kosten für externe Kunden, die von Intels Gießerei bedient werden, erheblich gesenkt werden Risiken. Kürzlich gab Intel bekannt, dass es eine generationenübergreifende Kooperationsvereinbarung mit Synopsys Technology unterzeichnet hat, um seine langfristige strategische Partnerschaft in den Bereichen Halbleiter-IP und EDA (Electronic Design Automation) zu vertiefen und gemeinsam prozessbasierte Produkte auf Intel 3 und Intel 18A zu entwickeln für Intel OEM-Servicekunden. Zuvor hatte Arm eine Vereinbarung mit Intel Foundry Services unterzeichnet, die ein hochmodernes System-Chip-Design mehrerer Generationen beinhaltet und es Chip-Design-Unternehmen ermöglicht, Intel 18A für die Entwicklung von Low-Power-Computing-System-on-Chip (SoC) zu verwenden 18A für den schwedischen Telekommunikationsausrüster Ericsson baut maßgeschneiderte 5G-Chips auf Systemebene.

Intel hat außerdem den neuesten RibbonFET-Transistor veröffentlicht, der auf dem Intel 20A-Prozessknoten eingeführt wird. Im Folgenden finden Sie eine Einführung in RibbonFET-Transistoren:

Mit RibbonFET-Transistoren hat Intel erfolgreich eine Gate-All-Around-Architektur (GAA, Gate-All-Around) implementiert. Diese Architektur wird auf dem Intel 20A-Prozessknoten zusammen mit der PowerVia-Backside-Stromversorgungstechnologie eingeführt und weiterhin auf dem Intel 18A-Prozessknoten verwendet, um Intel dabei zu helfen, seine Prozessführerschaft zurückzugewinnen, die Produktleistung zu verbessern und Intels Foundry-Service-Kunden zu bieten besserer, qualitativ hochwertiger Service

In einem Transistor fungiert das Gate wie ein Schalter, um den Stromfluss zu steuern. Im Jahr 2012 übernahm Intel die Führung bei der Einführung der FinFET-Technologie (Fin Field Effect Transistor), die es dem Gate ermöglicht, die obere, linke und rechte Seite des Transistorkanals zu umgeben. Diese vertikale Architektur ermöglicht die Integration von mehr Transistoren in den Chip und fördert so effektiv die Fortführung des Mooreschen Gesetzes im letzten Jahrzehnt.

Da die Transistorgrößen weiter schrumpfen, wird der Kurzkanaleffekt immer offensichtlicher und die Stromsteuerung nimmt zu wird immer schwieriger und FinFET stößt an seine physikalische Grenze. Als erste neue Transistorarchitektur von Intel seit FinFET verwendet der RibbonFET-Transistor mit vollständig umschlossenem Gate einen streifenförmigen Transistorkanal, der vollständig vom Gate umgeben ist. Zu seinen Hauptvorteilen gehören die folgenden drei Aspekte:

Erstens beim RibbonFET-Transistor , das Gate kann den Stromfluss besser steuern und gleichzeitig bei jeder Spannung einen stärkeren Antriebsstrom liefern, wodurch der Transistor schneller schalten kann, wodurch die Leistung des Transistors verbessert wird.
Zweitens ist die RibbonFET-Transistorarchitektur horizontal Kanäle können vertikal gestapelt werden, anstatt wie bei FinFETs nur Rippen nebeneinander zu platzieren, sodass die gleiche Leistung auf kleinerem Raum erreicht werden kann, was zu einer weiteren Skalierung der Transistorgrößen führt

• Drittens wird RibbonFET die Flexibilität des Chip-Designs weiter verbessern. Sein Kanal kann je nach Bedarf verbreitert oder verengt werden, wodurch er für verschiedene Anwendungsszenarien besser geeignet ist, egal ob es sich um Mobiltelefone oder Computer, Spiele oder medizinische Geräte, Automobile oder künstliche Geräte handelt Intelligence kann bei Bedarf einfach konfiguriert werden.

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