Samsung bildet ein professionelles Team, das sich der Entwicklung der 4F²-DRAM-Speicherzellenstrukturtechnologie widmet

Nachrichten vom 26. Mai, laut koreanischen Medien The Elec hat Samsung kürzlich ein professionelles Team gegründet, das sich der Entwicklung einer Technologie namens 4F² widmet Innovative Technologie der DRAM-Speicherzellenstruktur. Diese Technologie kann die Chipfläche um bis zu 30 % reduzieren, ohne den Prozessknoten zu ändern.

Im letzten Jahrzehnt hat die DRAM-Industrie versucht, 4F zu kommerzialisieren Die Strukturtechnologie mit quadratischen Einheiten war jedoch nicht erfolgreich. Das von Samsung gebildete professionelle Team ist dieses Mal jedoch bestrebt, frühere Probleme zu überwinden und die Forschung und Entwicklung der 4F²-Struktur voranzutreiben.

Soweit der Herausgeber es versteht, 4F² Der Aufbau der DRAM-Speicherzellenstruktur basiert auf dem durch Transistoren gebildeten Gesamtsystem aus Source (S), Gate (G) und Drain (D). Über dem Drain (D) ist ein Kondensator zum Speichern von Ladung installiert, und der Transistor ist mit der horizontal angeordneten WL-Leitung und der vertikal angeordneten BL-Leitung verbunden. Dabei ist die WL-Leitung mit dem Gate (G) verbunden und für die Steuerung des Schaltens des Transistors verantwortlich, während die BL-Leitung mit der Source (S) verbunden ist und für das Lesen und Schreiben von Daten zuständig ist.

Der größte Vorteil der 4F²-Technologie ist ihr hoher Integrationsgrad und die Fähigkeit, Chipplatz zu sparen. Im Vergleich zum bestehenden 6F²-Niveau kann diese Technologie die Chipfläche um bis zu 30 % reduzieren, ohne den Prozessknoten zu ändern. Dies ist von großer Bedeutung für die Verbesserung der Chipleistung, die Erzielung höherer Speicherkapazitäten und die Deckung der wachsenden Marktnachfrage.

Das professionelle Team von Samsung wird weiterhin hart daran arbeiten, 4F² zu beschleunigen Der Entwicklungsprozess der DRAM-Speicherzellenstruktur. Nach erfolgreicher Kommerzialisierung wird diese Technologie voraussichtlich revolutionäre Durchbrüche in der DRAM-Branche bringen und die Entwicklung der Speichertechnologie auf ein neues Niveau heben. Wir werden die neuesten Entwicklungen in diesem Bereich weiterhin aufmerksam verfolgen.

Das obige ist der detaillierte Inhalt vonSamsung bildet ein professionelles Team, das sich der Entwicklung der 4F²-DRAM-Speicherzellenstrukturtechnologie widmet. Für weitere Informationen folgen Sie bitte anderen verwandten Artikeln auf der PHP chinesischen Website!