TechInsights: 3D-, 4F2- und andere DRAM-Speicher mit neuer Struktur werden voraussichtlich am 0C-Knoten in Massenproduktion hergestellt

王林
Freigeben: 2024-07-26 21:28:54
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Nachrichten von dieser Website am 26. Juli, laut koreanischen Medien The Elec, Dr. Choi Jeong-dong von der Analyseagentur TechInsights sagte, dass DRAM-Speicher mit innovativen Strukturen wie 3D, 4F2, VCT (Vertical Channel Transistor) voraussichtlich erreicht werden Der 0C-nm-Knoten erreicht eine Massenproduktion.

0C nm ist der Knoten der 3. Generation mit 10 nm und darunter. Derzeit ist der fortschrittlichste Prozess der drei großen DRAM-Hersteller 1b (1β) nm, der 20–10-nm-Knoten der 6. Generation.

Choi glaubt, dass die DRAM-Speicherindustrie nach der nächsten Generation von 1c nm auch den 1d nm-Knoten erleben wird, bevor der Nennprozess auf unter 10 nm verkleinert wird.

Vor vier bis fünf Jahren glaubten einige Leute in der Branche, dass DRAM-Speicher mit einer neuen Struktur in der 1d~0a-nm-Generation verfügbar sein würden.

Aber es scheint, dass 3D-DRAM, 4F2-DRAM und andere Technologien noch unausgereift sind. Selbst wenn alles gut läuft, muss die Massenproduktion mindestens bis 0b nm warten. Am Beispiel von 3D-DRAM werden Speichermuster mit 8- und 12-Layer-Stacks noch getestet, und bis zum Ziel von 60- und 90-Layer-Stacks ist es noch ein weiter Weg.

TechInsights:3D、4F2 等新结构 DRAM 内存有望于 0C 节点量产

▲Die zuvor von Samsung Electronics vorgestellte 3D-DRAM-Roadmap

Choi sagte, dass bis zum 1b-nm-Prozess der HKMG-Prozess (Anmerkung dieser Website: hohe Dielektrizitätskonstante (Material)/Metall-Gate) der Leckstrom reduzieren kann noch verfügbar. Es wird nur in einigen Produkten von GDDR, DDR5 und LPDDR verwendet.

Und durch den 1c-nm-Knoten wird der HKMG-Prozess in allen Arten von Produkten von Samsung Electronics und SK Hynix weit verbreitet sein.

Was die bestehenden DRAM-Produkte betrifft, wird 1b nm ab dem dritten Quartal den Titel des Prozesses mit dem höchsten Versandvolumen von 1a nm übernehmen.

Unter den 1b-nm-DRAMs hat das Produkt von Samsung Electronics die kleinste Größe Die etwas kleineren Modelle Large und Micron von SK Hynix sind die größten, aber der Unterschied ist nicht signifikant.

Das obige ist der detaillierte Inhalt vonTechInsights: 3D-, 4F2- und andere DRAM-Speicher mit neuer Struktur werden voraussichtlich am 0C-Knoten in Massenproduktion hergestellt. Für weitere Informationen folgen Sie bitte anderen verwandten Artikeln auf der PHP chinesischen Website!

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Quelle:ithome.com
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