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SK Hynix, Samsung Electronics: Mehr als 20 % der gesamten DRAM-Produktionslinie werden für HBM-Speicher verwendet

PHPz
Freigeben: 2024-06-04 11:00:26
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SK 海力士、三星电子:整体 DRAM 生产线已超两成用于 HBM 内存

Laut Nachrichten dieser Website vom 14. Mai erklärten die beiden großen Speichergiganten SK Hynix und Samsung Electronics laut koreanischen Medien Hankyung bei der Teilnahme an einer Investorenveranstaltung Anfang dieses Monats, dass es bereits zwei in der gesamten DRAM-Produktion gebe Linie. in die Produktion von HBM-Speicher.

Im Vergleich zu Allzweck-DRAM hat HBM-Speicher einen höheren Stückpreis. Aufgrund der schlechten TSV-Prozessausbeute und aus anderen Gründen ist der Waferverbrauch jedoch zwei- oder sogar dreimal so hoch wie bei herkömmlichem Speicher. Nur durch die Erhöhung des Anteils der Produktionslinien können Speicherunternehmen der wachsenden Nachfrage nach HBM gerecht werden.

Vor diesem Hintergrund der „Kapazitätsbelegung“ prognostizieren Vertreter von Samsung Electronics, dass die Preise nicht nur für HBM-Speicher, sondern auch für

Allzweck-DRAM (wie Standard-DDR5) im Laufe des Jahres nicht sinken werden.

SK Hynix bestätigte erneut, dass das Unternehmen auf der Grundlage der Produktionskapazität zum Jahresende die Zuteilung der HBM-Speicherproduktionskapazität im Jahr 2025 abgeschlossen hat.

Samsung Electronics sagte, dass seine HBM-Auftragslage in etwa gleich sei das seiner Konkurrenten, und es wurde auch verkauft Es wird geschätzt, dass es im nächsten Jahr kein Überangebot an HBM-Speichern geben wird.

Vertreter von Samsung Electronics bestätigten, dass die Entwicklung des HBM4-Speichers des Unternehmens im nächsten Jahr abgeschlossen werden soll und die Massenproduktion im Jahr 2026 erfolgen soll, und gaben an, dass Samsung Electronics plant, mit der Anwendung von Hybrid-Bonding im HBM4-Speicher zu beginnen.

In früheren Berichten auf dieser Website wurde erwähnt, dass SK Hynix der Ansicht ist, dass es unwahrscheinlich ist, Hybrid-Bonding auf HBM4 anzuwenden, und eine Ansicht vertritt, die nicht mit der von Samsung Electronics übereinstimmt.

Darüber hinaus sind beide Unternehmen hinsichtlich des Marktes für Solid-State-Laufwerke auf Unternehmensebene optimistisch. Vertreter von Samsung Electronics glauben, dass das Wachstum der entsprechenden Nachfrage ein langfristiger Trend sein wird.

Das obige ist der detaillierte Inhalt vonSK Hynix, Samsung Electronics: Mehr als 20 % der gesamten DRAM-Produktionslinie werden für HBM-Speicher verwendet. Für weitere Informationen folgen Sie bitte anderen verwandten Artikeln auf der PHP chinesischen Website!

Quelle:ithome.com
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