TSMC: 2-nm-Knoten schreitet reibungslos voran und N3X- und N2-Prozesse werden in der zweiten Hälfte des Jahres 2025 eingeführt

Nachrichten von dieser Website vom 24. Mai, laut taiwanesischen Medien „MoneyDJ Financial Management Network“, erklärten Führungskräfte von TSMC auf dem Technologieforum 2024 in Hsinchu, dass ihr 2-nm-Knoten mit Nanosheet-Nanosheets (GAA-Transistoren) reibungslos voranschreitet.

Zhang Xiaoqiang, stellvertretender COO von TSMC, sagte, dass der 2-nm-Prozess von TSMC „sehr reibungslos“ voranschreitet: Die aktuelle „Umwandlungsleistung“ von Nanoblättern hat das Ziel von 90 % erreicht und basierend auf der Ausbeuteberechnung hat sie auch 80 % überschritten .

TSMC geht davon aus, dass sein N2-Prozess bei seiner Einführung im Jahr 2025 weiterhin die führende Technologie in der Gießereiindustrie sein wird.

Laut ausländischen Medien Anandtech wird TSMC in der zweiten Hälfte des Jahres 2025 die Massenproduktion des N2-Prozesses erreichen. Im gleichen Zeitraum wird es auch den N3X-Prozess in die 3-nm-Familie für HPC-Anwendungen bringen .

Der N3X-Prozess hat eine höhere Maximalspannung von 1,2 V Im Vergleich zum N3P-Prozess wird der Stromverbrauch bei gleicher Frequenz um 7 % reduziert, die Leistung wird bei gleicher Fläche um 5 % verbessert und die Dichte verbessert wird bei gleicher Frequenz um 10 % erhöht. Früheren Berichten dieser Website zufolge wird dieser Knoten voraussichtlich ab diesem Jahr mit der Filmproduktion beginnen.

In der zweiten Hälfte des Jahres 2026 wird TSMC zwei Variantenprozesse der 2-nm-Familie in Serie produzieren: N2P und A16.

Im Vergleich zum N2-Prozess reduziert der N2P-Prozess den Stromverbrauch bei gleicher Frequenz und Dichte um 5 bis 10 % und verbessert die Leistung bei gleicher Dichte und gleichem Stromverbrauch um 5 bis 10 %.

Am Knoten A16 wird TSMC offiziell die Backside-Power-Supply-Technologie einführen. Dieser Prozess kann die Frequenz bei gleicher Betriebsspannung um 8 bis 10 % erhöhen; bei gleicher Frequenz kann der Stromverbrauch um 15 bis 20 % gesenkt und die Dichte um bis zu 10 % erhöht werden.

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